- UBS认为存储半导体行业的'担忧之墙'(Wall of Worry)并不合理：1) CXMT的4F2 VCAT DRAM量产为时尚早，对2027年行业供给不

• 序号：235
• 星球链接：打开网页
• 附件：图片 0，音频 0，文档 0
• 音频文件：无音频

图片

无图片

正文

• UBS认为存储半导体行业的'担忧之墙'(Wall of Worry)并不合理：1) CXMT的4F2 VCAT DRAM量产为时尚早，对2027年行业供给不构成实质威胁；2) 受Agentic AI推理部署驱动，服务器DDR5及SOCAMM订单强劲(2027年Nvidia SOCAMM需求超50bn Gb，超过PC+GDDR总量)，HBM去规格化(de-specing)难以避免；3) 三星将加速产能扩张，4Q26至4Q27新增12万片wpm DRAM产能；4) 存储股自9月高点回调19%，'27-30E平均FCF收益率达29%，估值具吸引力；UBS维持覆盖范围内所有股票买入评级，首选标的为三星电子。

UBS于2026年10月发布的《Memory Semis Monthly》对存储半导体行业进行了全面分析，核心观点是： 报告围绕四大主题展开分析：

UBS维持覆盖范围内所有股票"买入"评级，，覆盖标的的平均2027-2030年自由现金流收益率高达29%。

一、CXMT 4F2 VCAT DRAM：短期无威胁，长期值得关注 ：CXMT宣布将于年底前"启动(launching)"4F2 VCAT（Vertical Channel Access Transistor）DRAM，但UBS认为这并非真正的量产。 ： ：4F2 VCAT架构相比6F2可在相同光刻半节距条件下将密度提升50%（或放松半节距条件时提升较少），但后续节点仍需更先进的光刻技术 ：UBS推测所谓"launching"更可能指，真正的6F2 G5（1a nm）量产要到才能实现 ：三星计划将4F2 VCAT用于，时间预计在，且需要先完成2027年的1d nm 6F2量产 ：转向新架构通常需要至少才能优化效率和性能，这可能延迟向3D DRAM的迁移，最终可消除DRAM制造对EUV光刻的依赖——这才是更具变革性的"分叉路口" 二、HBM去规格化(De-specing)持续 ： ：受Agentic AI推理部署推动，DRAM厂商订单已上调至2027年 ：Nvidia Vera CPU的SOCAMM订单在过去2个月显著增长，，已超过整个PC+GDDR DRAM位元消费量 ：HBM出货量增速预计仅为（此前预期更高） ： 产品HBM规格 Nvidia VR300 HBM4 8-Hi（后续HBM4E） Nvidia Feynman HBM4E 8/12-Hi Google TPU v9 HBM4E 部分推理ASIC HBM 4-Hi ：VR300的HBM密度去规格化将（KV Cache、CMX用途），UBS渠道调研显示相关订单已出现回暖。 三、三星加速产能扩张 UBS近期再次上调了对三星的资本开支预测： ： ：新增 DRAM产能（从70万→82万片wpm） ：P4工厂完成产能爬坡，P5-1将于开始设备进场 ：可能启动P5-1另一个洁净室的同时前一个洁净室仍在安装设备，并对P2/P3进行瓶颈解除改造，2028年新增产能可能超过 ：UBS判断此扩张。 四、行业供需数据全景 ： 总需求：（YoY +91%） 客户结构变化：Nvidia占比从2026E的，Google从 产品结构：HBM4占比39%，HBM3E 12-Hi占比30% ： 总收入：（YoY +80.6%） 混合ASP：（YoY +45.1%） 供需缺口（Sufficiency Ratio）：约**-5.0%** ： 总收入：（YoY +69.4%） ASP：（YoY +38%） 服务器SSD占比将达 ： 厂商市占率 Samsung 36.3% SK Hynix 30.4% Micron 23.0% CXMT 9.0% Nanya 1.1% 五、估值与机会 ： 存储股自，几乎回到7月低点 覆盖范围（除CXMT外） ： ✅ ：三星电子 ✅ ：覆盖范围内所有股票（包括SK Hynix、Micron等）

UBS维持覆盖范围内所有存储半导体股票**"买入"评级**，。 ： 三星电子采用，基于长期平均ROE和股权成本 行业整体估值仍处于历史合理区间，29%的FCF收益率提供充足安全边际 ： AI推理需求驱动服务器DDR/SOCAMM持续增长 HBM向HBM4/HBM4E代际迁移带来ASP提升 三星P4/P5产能爬坡符合预期 行业供给增长温和（10-11%产能增速）vs 需求高速增长（服务器DRAM需求2027年+83.1%）

：如果CXMT 4F2 VCAT量产时间早于预期，可能对行业供给产生冲击 ：如果Agentic AI推理部署速度低于预期，可能影响服务器DDR和HBM需求 ：客户可能进一步去规格化HBM，影响ASP和盈利 ：2028年若三星新增超过15万片wpm产能，可能加剧供需平衡压力 ：UBS承认DRAM行业仍存在周期性回调风险（"Goldilocks scenario"中长期风险已降低，但短期周期仍存在） ：韩元走强可能对三星盈利造成压力 ：三星集团决策的不透明度和股东回报考量有限（但可能正在改变） ：手机业务约占三星营业利润的1/3，市场成熟带来增长减速风险 ：科技股估值难度大，宏观周期波动可能影响估值水平

总体总结

主题正文

1. • UBS认为存储半导体行业的'担忧之墙'(Wall of Worry)并不合理：1) CXMT的4F2 VCAT DRAM量产为时尚早，对2027年行业供给不构成实质威胁；
2. 2. 受Agentic AI推理部署驱动，服务器DDR5及SOCAMM订单强劲(2027年Nvidia SOCAMM需求超50bn Gb，超过PC+GDDR总量)，HBM去规格化(de-specing)难以避免；
3. UBS于2026年10月发布的《Memory Semis Monthly》对存储半导体行业进行了全面分析，核心观点是：
4. ：CXMT宣布将于年底前"启动(launching)"4F2 VCAT（Vertical Channel Access Transistor）DRAM，但UBS认为这并非真正的量产。
5. ：Nvidia Vera CPU的SOCAMM订单在过去2个月显著增长，，已超过整个PC+GDDR DRAM位元消费量
6. ：VR300的HBM密度去规格化将（KV Cache、CMX用途），UBS渠道调研显示相关订单已出现回暖。
7. 行业供给增长温和（10-11%产能增速）vs 需求高速增长（服务器DRAM需求2027年+83.1%）
8. ：手机业务约占三星营业利润的1/3，市场成熟带来增长减速风险