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title: "- UBS认为存储半导体行业的'担忧之墙'(Wall of Worry)并不合理：1) CXMT的4F2 VCAT DRAM量产为时尚早，对2027年行业供给不"
topic_id: 22258224225458241
created_at: 2026-10-15T09:29:07.784+0800
source: zsxq
type: topic
cssclasses: zsxq-vault
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# - UBS认为存储半导体行业的'担忧之墙'(Wall of Worry)并不合理：1) CXMT的4F2 VCAT DRAM量产为时尚早，对2027年行业供给不

- 序号：235
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## 正文

- UBS认为存储半导体行业的'担忧之墙'(Wall of Worry)并不合理：1) CXMT的4F2 VCAT DRAM量产为时尚早，对2027年行业供给不构成实质威胁；2) 受Agentic AI推理部署驱动，服务器DDR5及SOCAMM订单强劲(2027年Nvidia SOCAMM需求超50bn Gb，超过PC+GDDR总量)，HBM去规格化(de-specing)难以避免；3) 三星将加速产能扩张，4Q26至4Q27新增12万片wpm DRAM产能；4) 存储股自9月高点回调19%，'27-30E平均FCF收益率达29%，估值具吸引力；UBS维持覆盖范围内所有股票买入评级，首选标的为三星电子。

UBS于2026年10月发布的《Memory Semis Monthly》对存储半导体行业进行了全面分析，核心观点是：
报告围绕四大主题展开分析：

UBS维持覆盖范围内所有股票"买入"评级，，覆盖标的的平均2027-2030年自由现金流收益率高达29%。

一、CXMT 4F2 VCAT DRAM：短期无威胁，长期值得关注
：CXMT宣布将于年底前"启动(launching)"4F2 VCAT（Vertical Channel Access Transistor）DRAM，但UBS认为这并非真正的量产。
：
：4F2 VCAT架构相比6F2可在相同光刻半节距条件下将密度提升50%（或放松半节距条件时提升较少），但后续节点仍需更先进的光刻技术
：UBS推测所谓"launching"更可能指，真正的6F2 G5（1a nm）量产要到才能实现
：三星计划将4F2 VCAT用于，时间预计在，且需要先完成2027年的1d nm 6F2量产
：转向新架构通常需要至少才能优化效率和性能，这可能延迟向3D DRAM的迁移，最终可消除DRAM制造对EUV光刻的依赖——这才是更具变革性的"分叉路口"
二、HBM去规格化(De-specing)持续
：
：受Agentic AI推理部署推动，DRAM厂商订单已上调至2027年
：Nvidia Vera CPU的SOCAMM订单在过去2个月显著增长，，已超过整个PC+GDDR DRAM位元消费量
：HBM出货量增速预计仅为（此前预期更高）
：
产品HBM规格
Nvidia VR300
HBM4 8-Hi（后续HBM4E）
Nvidia Feynman
HBM4E 8/12-Hi
Google TPU v9
HBM4E
部分推理ASIC
HBM 4-Hi
：VR300的HBM密度去规格化将（KV Cache、CMX用途），UBS渠道调研显示相关订单已出现回暖。
三、三星加速产能扩张
UBS近期再次上调了对三星的资本开支预测：
：
：新增 DRAM产能（从70万→82万片wpm）
：P4工厂完成产能爬坡，P5-1将于开始设备进场
：可能启动P5-1另一个洁净室的同时前一个洁净室仍在安装设备，并对P2/P3进行瓶颈解除改造，2028年新增产能可能超过
：UBS判断此扩张。
四、行业供需数据全景
：
总需求：（YoY +91%）
客户结构变化：Nvidia占比从2026E的，Google从
产品结构：HBM4占比39%，HBM3E 12-Hi占比30%
：
总收入：（YoY +80.6%）
混合ASP：（YoY +45.1%）
供需缺口（Sufficiency Ratio）：约**-5.0%**
：
总收入：（YoY +69.4%）
ASP：（YoY +38%）
服务器SSD占比将达
：
厂商市占率
Samsung
36.3%
SK Hynix
30.4%
Micron
23.0%
CXMT
9.0%
Nanya
1.1%
五、估值与机会
：
存储股自，几乎回到7月低点
覆盖范围（除CXMT外）
：
✅ ：三星电子
✅ ：覆盖范围内所有股票（包括SK Hynix、Micron等）

UBS维持覆盖范围内所有存储半导体股票**"买入"评级**，。
：
三星电子采用，基于长期平均ROE和股权成本
行业整体估值仍处于历史合理区间，29%的FCF收益率提供充足安全边际
：
AI推理需求驱动服务器DDR/SOCAMM持续增长
HBM向HBM4/HBM4E代际迁移带来ASP提升
三星P4/P5产能爬坡符合预期
行业供给增长温和（10-11%产能增速）vs 需求高速增长（服务器DRAM需求2027年+83.1%）

：如果CXMT 4F2 VCAT量产时间早于预期，可能对行业供给产生冲击
：如果Agentic AI推理部署速度低于预期，可能影响服务器DDR和HBM需求
：客户可能进一步去规格化HBM，影响ASP和盈利
：2028年若三星新增超过15万片wpm产能，可能加剧供需平衡压力
：UBS承认DRAM行业仍存在周期性回调风险（"Goldilocks scenario"中长期风险已降低，但短期周期仍存在）
：韩元走强可能对三星盈利造成压力
：三星集团决策的不透明度和股东回报考量有限（但可能正在改变）
：手机业务约占三星营业利润的1/3，市场成熟带来增长减速风险
：科技股估值难度大，宏观周期波动可能影响估值水平

## 总体总结

主题正文
1. - UBS认为存储半导体行业的'担忧之墙'(Wall of Worry)并不合理：1) CXMT的4F2 VCAT DRAM量产为时尚早，对2027年行业供给不构成实质威胁；
2. 2) 受Agentic AI推理部署驱动，服务器DDR5及SOCAMM订单强劲(2027年Nvidia SOCAMM需求超50bn Gb，超过PC+GDDR总量)，HBM去规格化(de-specing)难以避免；
3. UBS于2026年10月发布的《Memory Semis Monthly》对存储半导体行业进行了全面分析，核心观点是：
4. ：CXMT宣布将于年底前"启动(launching)"4F2 VCAT（Vertical Channel Access Transistor）DRAM，但UBS认为这并非真正的量产。
5. ：Nvidia Vera CPU的SOCAMM订单在过去2个月显著增长，，已超过整个PC+GDDR DRAM位元消费量
6. ：VR300的HBM密度去规格化将（KV Cache、CMX用途），UBS渠道调研显示相关订单已出现回暖。
7. 行业供给增长温和（10-11%产能增速）vs 需求高速增长（服务器DRAM需求2027年+83.1%）
8. ：手机业务约占三星营业利润的1/3，市场成熟带来增长减速风险