事件：长鑫存储总裁曹堪宇在第四届集成芯片和芯粒大会上宣布，预计年底推出融合4F²架构与混合键合技术的新一代DDR5RDIMM产品 我们认为：4F²的意义不止于密
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事件：长鑫存储总裁曹堪宇在第四届集成芯片和芯粒大会上宣布，预计年底推出融合4F²架构与混合键合技术的新一代DDR5RDIMM产品
我们认为：4F²的意义不止于密度提升，更在于用架构创新替代单纯制程微缩，为国产DRAM打开一条不依赖最先进光刻机的追赶路径
投资建议：关注技术升级带来的投资机遇
一、份额追赶：4F²单元面积较主流6F²理论缩小约30%，若良率与服务器认证顺利，长鑫在DDR5及服务器市场有望加速上量。
二、去EUV路径：4F²与阵列/外围分工键合（CBA）搭配，通过结构设计与堆叠获取密度收益，降低对最先进光刻节点的依赖——对受出口管制的长鑫，这是战略级“换道”而非普通工艺升级。
三、设备材料增量：高深宽比刻蚀、薄膜沉积、CMP、键合与量检测价值量全面提升，国产设备材料迎来技术迭代+产线改造双轮驱动。
建议关注：
➠4F²及CBA：长鑫科技、晶合集成等
➠设备：拓荆科技、华海清科、中科飞测、强一股份等
➠材料：鼎龙股份、上海新阳等
总体总结
主题正文
- 事件：长鑫存储总裁曹堪宇在第四届集成芯片和芯粒大会上宣布，预计年底推出融合4F²架构与混合键合技术的新一代DDR5RDIMM产品
- 我们认为：4F²的意义不止于密度提升，更在于用架构创新替代单纯制程微缩，为国产DRAM打开一条不依赖最先进光刻机的追赶路径
- 投资建议：关注技术升级带来的投资机遇
- 一、份额追赶：4F²单元面积较主流6F²理论缩小约30%，若良率与服务器认证顺利，长鑫在DDR5及服务器市场有望加速上量。
- 二、去EUV路径：4F²与阵列/外围分工键合（CBA）搭配，通过结构设计与堆叠获取密度收益，降低对最先进光刻节点的依赖——对受出口管制的长鑫，这是战略级“换道”而非普通工艺升级。
- 三、设备材料增量：高深宽比刻蚀、薄膜沉积、CMP、键合与量检测价值量全面提升，国产设备材料迎来技术迭代+产线改造双轮驱动。
- ➠4F²及CBA：长鑫科技、晶合集成等