【长鑫科技：拟241亿元和108亿元分别投建技术研发项目和存储器晶圆后道测试基地二期项目】长鑫科技公告，公司拟使用超募资金130亿元投资新建技术研发项目，同时拟
- 序号：327
- 星球链接：打开网页
- 附件：图片 0，音频 0，文档 0
- 音频文件：无音频
图片
无图片
正文
【长鑫科技：拟241亿元和108亿元分别投建技术研发项目和存储器晶圆后道测试基地二期项目】长鑫科技公告，公司拟使用超募资金130亿元投资新建技术研发项目，同时拟通过增资和借款方式向全资子公司长鑫存储产品(合肥)有限公司提供超募资金50亿元，由其投资新建存储器晶圆后道测试基地二期项目，计划建设一座测试工厂，为DRAM存储芯片提供测试以及模组组装。上述项目投资总额分别为241亿元和108亿元。
总体总结
主题正文
- 【长鑫科技：拟241亿元和108亿元分别投建技术研发项目和存储器晶圆后道测试基地二期项目】长鑫科技公告，公司拟使用超募资金130亿元投资新建技术研发项目，同时拟通过增资和借款方式向全资子公司长鑫存储产品(合肥)有限公司提供超募资金50亿元，由其投资新建存储器晶圆后道测试基地二期项目，计划建设一座测试工厂，为DRAM存储芯片提供测试以及模组组装。
- 上述项目投资总额分别为241亿元和108亿元。