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title: "【长鑫科技：拟241亿元和108亿元分别投建技术研发项目和存储器晶圆后道测试基地二期项目】长鑫科技公告，公司拟使用超募资金130亿元投资新建技术研发项目，同时拟"
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# 【长鑫科技：拟241亿元和108亿元分别投建技术研发项目和存储器晶圆后道测试基地二期项目】长鑫科技公告，公司拟使用超募资金130亿元投资新建技术研发项目，同时拟

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## 正文

【长鑫科技：拟241亿元和108亿元分别投建技术研发项目和存储器晶圆后道测试基地二期项目】长鑫科技公告，公司拟使用超募资金130亿元投资新建技术研发项目，同时拟通过增资和借款方式向全资子公司长鑫存储产品(合肥)有限公司提供超募资金50亿元，由其投资新建存储器晶圆后道测试基地二期项目，计划建设一座测试工厂，为DRAM存储芯片提供测试以及模组组装。上述项目投资总额分别为241亿元和108亿元。

## 总体总结

主题正文
1. 【长鑫科技：拟241亿元和108亿元分别投建技术研发项目和存储器晶圆后道测试基地二期项目】长鑫科技公告，公司拟使用超募资金130亿元投资新建技术研发项目，同时拟通过增资和借款方式向全资子公司长鑫存储产品(合肥)有限公司提供超募资金50亿元，由其投资新建存储器晶圆后道测试基地二期项目，计划建设一座测试工厂，为DRAM存储芯片提供测试以及模组组装。
2. 上述项目投资总额分别为241亿元和108亿元。