- 花旗预计,持续学习(continual learning)技术及AI推理需求将推动eSSD需求在2027E同比增长52.9%,总SSD需求增长45%。QLC

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花旗在2026年9月21日发布的这份半导体行业报告中,,远超传统消费类NAND需求的疲软表现。 报告的三个关键预测如下: :2027年eSSD需求预计同比增长52.9%,总SSD需求增长45.0%。 :2027E/2028E供需缺口将分别为-6.1%/-5.5%(2026E仅为-0.8%)。 :重申对三星电子(005930.KS)和SK海力士(000660.KS)的。

一、为什么eSSD需求会大幅增长? 持续学习(continual learning)是AI领域的重要技术方向——它要求AI系统。这一过程对存储系统提出了极高的要求: :模型在增量训练过程中需要反复读取历史数据以避免"灾难性遗忘"。 :Nvidia推动的KV-cache offloading方案需要大容量的高速存储来卸载GPU显存中的缓存数据,进一步拉动高密度SSD需求。 :这些技术将成为支撑AI推理的关键存储补充方案。 :花旗预计QLC SSD在AI系统中的应用将快速渗透,因其能以更低成本提供更大存储容量,更适合靠近加速器的大型存储池。 二、SSD需求全景预测 指标2026E2027E2028E 高密度eSSD需求增速 —

总SSD需求增速 — +45.0% — NAND总需求增速 — +29% +33% NAND供应增速 — +21% +25% NAND供需缺口 -0.8%

三、消费类NAND的拖累被AI需求完全抵消 智能手机和PC市场疲软将使。 但中国AI数据中心正越来越多地选择,进一步加大对QLC SSD的增量需求。 花旗认为强劲的消费类NAND的疲软。 四、供给端逻辑:NAND产能"被让位"给DRAM/HBM 这是供需缺口扩大的核心原因: 内存厂商将。 NAND的产能扩张相对滞后,导致。 NAND市场结构从"大宗商品"向**"高度定制化和客户专用"**转变,类似HBM的逻辑。

花旗对两家公司的估值均采用**分部加总(SOTP)**方法,基于2026E EBITDA: 三星电子(005930.KS)

各分部EV/EBITDA倍数: 内存业务: 代工业务:1.0x 显示器面板:0.5x 移动业务:4.0x 消费电子:2.0x SK海力士(000660.KS)

分部估值逻辑: HBM业务:(参考TSMC估值,定位为定制化高端市场) 大宗商品/其他业务:(参考历史上行周期早期的前12个月远期均值) :花旗认为HBM市场正从传统"大宗商品"演变为"类似代工业务"的,这一结构性变化支撑了HBM更高的估值溢价。

三星电子的五大下行风险 HBM向关键客户的出货审批延迟超过预期; PC销售弱于预期,导致NAND需求不及预期; 竞争对手在内存和代工领域的激进投资对价格造成负面影响; 智能手机市场竞争加剧,压缩三星手机业务利润率; 韩元大幅升值将影响三星盈利。 SK海力士的三大下行风险 DRAM需求出现下行周期; NAND需求弱于花旗预测; 全球消费需求走弱。 行业层面风险 若AI持续学习技术的实际落地速度慢于预期,eSSD需求增速可能不及52.9%的预测; 若消费电子(手机、PC)需求进一步恶化,可能对NAND整体需求形成超预期拖累; 若海外厂商加速NAND产能投资(如日系或美系厂商),可能改变当前的供需紧缩格局。

总体总结

主题正文

    • 花旗预计,持续学习(continual learning)技术及AI推理需求将推动eSSD需求在2027E同比增长52.9%,总SSD需求增长45%。
  1. 由于内存厂商将产能优先投向DRAM/HBM而非NAND,NAND供需缺口将在2027E/2028E分别扩大至-6.1%/-5.5%(2026E为-0.8%),NAND市场将实质性收紧。
  2. 花旗重申对三星电子(005930.KS)和SK海力士(000660.KS)的买入评级,认为两家公司均能受益于NAND基本面收紧及AI驱动的结构性内存需求增长。
  3. :2027年eSSD需求预计同比增长52.9%,总SSD需求增长45.0%。
  4. :Nvidia推动的KV-cache offloading方案需要大容量的高速存储来卸载GPU显存中的缓存数据,进一步拉动高密度SSD需求。
  5. :花旗预计QLC SSD在AI系统中的应用将快速渗透,因其能以更低成本提供更大存储容量,更适合靠近加速器的大型存储池。
  6. 这是供需缺口扩大的核心原因:
  7. 竞争对手在内存和代工领域的激进投资对价格造成负面影响;