DUV for GAA [玫瑰]中国科学院(CAS)微电子研究所等机构正在探索利用现有 DUV(深紫外)光刻设备以及多重曝光/图形化(Multi-pattern
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DUV for GAA
[玫瑰]中国科学院(CAS)微电子研究所等机构正在探索利用现有 DUV(深紫外)光刻设备以及多重曝光/图形化(Multi-patterning)技术，结合GAA(Gate-All-Around/全环绕栅极)晶体管架构，尝试绕过 EUV(极紫外)光刻机的物理限制。通过优化器件开路/关断电流比(On-0ffratio)和逻辑单元高度(Logic cell height,如 4-track M0 设计)，实现在不依赖 EUV 设备的条件下去逼近 3nm~5nm 节点性能与密度的技术路径。 水水
[庆祝]实际上从7nm开始，村龙/华力都不使用多重曝光LELE了，而是自对准多重图形化(SADP/SAQP)技术。
路维光电（688401）：第三方掩膜版龙头。公司已实现180nm及以上制程节点半导体掩膜版量产，并储备了150nm技术，其产品可覆盖多重曝光工艺需求
冠石科技（605588）：切入半导体掩膜版领域。公司拟投资掩膜版项目，产品制程覆盖350-28nm，其中以45-28nm成熟制程为主，部分产品已实现量产
总体总结
主题正文
- DUV for GAA
- [玫瑰]中国科学院(CAS)微电子研究所等机构正在探索利用现有 DUV(深紫外)光刻设备以及多重曝光/图形化(Multi-patterning)技术，结合GAA(Gate-All-Around/全环绕栅极)晶体管架构，尝试绕过 EUV(极紫外)光刻机的物理限制。
- 通过优化器件开路/关断电流比(On-0ffratio)和逻辑单元高度(Logic cell height,如 4-track M0 设计)，实现在不依赖 EUV 设备的条件下去逼近 3nm~5nm 节点性能与密度的技术路径。
- [庆祝]实际上从7nm开始，村龙/华力都不使用多重曝光LELE了，而是自对准多重图形化(SADP/SAQP)技术。
- 路维光电（688401）：第三方掩膜版龙头。
- 公司已实现180nm及以上制程节点半导体掩膜版量产，并储备了150nm技术，其产品可覆盖多重曝光工艺需求
- 冠石科技（605588）：切入半导体掩膜版领域。
- 公司拟投资掩膜版项目，产品制程覆盖350-28nm，其中以45-28nm成熟制程为主，部分产品已实现量产