---
title: "DUV for GAA [玫瑰]中国科学院(CAS)微电子研究所等机构正在探索利用现有 DUV(深紫外)光刻设备以及多重曝光/图形化(Multi-pattern"
topic_id: 55521521414515444
created_at: 2026-09-18T10:22:11.667+0800
source: zsxq
type: topic
cssclasses: zsxq-vault
---

# DUV for GAA [玫瑰]中国科学院(CAS)微电子研究所等机构正在探索利用现有 DUV(深紫外)光刻设备以及多重曝光/图形化(Multi-pattern

- 序号：275
- 星球链接：[打开网页](https://wx.zsxq.com/group/15522451881222/topic/55521521414515444)
- 附件：图片 0，音频 0，文档 0
- 音频文件：_无音频_

## 图片

_无图片_

## 正文

DUV for GAA

[玫瑰]中国科学院(CAS)微电子研究所等机构正在探索利用现有 DUV(深紫外)光刻设备以及多重曝光/图形化(Multi-patterning)技术，结合GAA(Gate-All-Around/全环绕栅极)晶体管架构，尝试绕过 EUV(极紫外)光刻机的物理限制。通过优化器件开路/关断电流比(On-0ffratio)和逻辑单元高度(Logic cell height,如 4-track M0 设计)，实现在不依赖 EUV 设备的条件下去逼近 3nm~5nm 节点性能与密度的技术路径。
水水

[庆祝]实际上从7nm开始，村龙/华力都不使用多重曝光LELE了，而是自对准多重图形化(SADP/SAQP)技术。

路维光电（688401）：第三方掩膜版龙头。公司已实现180nm及以上制程节点半导体掩膜版量产，并储备了150nm技术，其产品可覆盖多重曝光工艺需求

冠石科技（605588）：切入半导体掩膜版领域。公司拟投资掩膜版项目，产品制程覆盖350-28nm，其中以45-28nm成熟制程为主，部分产品已实现量产

## 总体总结

主题正文
1. DUV for GAA
2. [玫瑰]中国科学院(CAS)微电子研究所等机构正在探索利用现有 DUV(深紫外)光刻设备以及多重曝光/图形化(Multi-patterning)技术，结合GAA(Gate-All-Around/全环绕栅极)晶体管架构，尝试绕过 EUV(极紫外)光刻机的物理限制。
3. 通过优化器件开路/关断电流比(On-0ffratio)和逻辑单元高度(Logic cell height,如 4-track M0 设计)，实现在不依赖 EUV 设备的条件下去逼近 3nm~5nm 节点性能与密度的技术路径。
4. [庆祝]实际上从7nm开始，村龙/华力都不使用多重曝光LELE了，而是自对准多重图形化(SADP/SAQP)技术。
5. 路维光电（688401）：第三方掩膜版龙头。
6. 公司已实现180nm及以上制程节点半导体掩膜版量产，并储备了150nm技术，其产品可覆盖多重曝光工艺需求
7. 冠石科技（605588）：切入半导体掩膜版领域。
8. 公司拟投资掩膜版项目，产品制程覆盖350-28nm，其中以45-28nm成熟制程为主，部分产品已实现量产