【申万宏源tmt+制造+材料等】202609 tau V1-V3报告三部曲，V3最新稍深度解读 1）V1解释等效线宽（22/28nm后制程节点都是等效） 2）V
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【申万宏源tmt+制造+材料等】202609 tau V1-V3报告三部曲，V3最新稍深度解读
1）V1解释等效线宽（22/28nm后制程节点都是等效） 2）V2 实际上投资者认为新披露的，大部分V1已经论述。 V2论文创新一：工程化 实现/数据/细节， V2论文创新二：理论化 Gear ratio/散热/引用论文。Gear ratio也将是V3重点 （720nm顶层金属线宽与键合节距的比例关系） 大量引用论文学术开放协同/推测产业不赞成力量来源
- V3 快速解读周末已完成，我们再稍深度解读： V3我们解读1：功耗底层拆解 P_total = α·C·V²·f (动态) + P_sc (短路) + V·I_leak (静态泄漏), P=α·C·V2·f 功耗是平方律优化（电压的平方），且当前互联功耗大大高于逻辑功能功耗。华为重点优化：时钟树（前端的C 线性项和后端）/搬运（上述 C 线性项）/并行化降压（上述V² 平方项）
V3我们解读2：40nm设备为何能做1.5u/720nm键合 技术上拆解DUV 分辨率/套刻精度/键合节距的误区，富裕倍数很安全。 1.5um/1um/720nm/480nm类似电梯井，过720临界点"不用步行直接坐电梯“。 因此混合键和成前道工艺，W2W崛起冲击C2W
V3解读3：tau冲击光模块？ 分短距通信如"片内短距 SERDES"/长距光模块分别讨论。
V3解读4：再次底层+架构创新 西方科技倾向于解耦，我们经常产业链一体化。 华为三篇回应几乎所有问题根源于后者。例如上述整体功耗考虑搬运占比而不是静态，再例如引入“热量-热密度-结温“，后者用多层有源硅层散热、剩余热量疏导管理。 在西方产业链这些都解耦了，但我们可以一体化设计明显优化。
标的正文。 包括混合键和设备、先进封测、成熟制程代工、EDA、材料、通信算网、大芯片设计、光模块、液冷等领域。 ————— V1 小程序://申万宏源研究/O5PCJ8DmhJEVHtp V2 小程序://申万宏源研究/qKB3DYlh2L5JO9m V3 小程序://申万宏源研究/CpQvQlMY2jLCtEE
总体总结
主题正文
- 【申万宏源tmt+制造+材料等】202609 tau V1-V3报告三部曲，V3最新稍深度解读
- 2）V2 实际上投资者认为新披露的，大部分V1已经论述。
- Gear ratio也将是V3重点
- P_total = α·C·V²·f (动态) + P_sc (短路) + V·I_leak (静态泄漏),
- 华为重点优化：时钟树（前端的C 线性项和后端）/搬运（上述 C 线性项）/并行化降压（上述V² 平方项）
- 1.5um/1um/720nm/480nm类似电梯井，过720临界点"不用步行直接坐电梯“。
- 例如上述整体功耗考虑搬运占比而不是静态，再例如引入“热量-热密度-结温“，后者用多层有源硅层散热、剩余热量疏导管理。
- 包括混合键和设备、先进封测、成熟制程代工、EDA、材料、通信算网、大芯片设计、光模块、液冷等领域。