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title: "【申万宏源tmt+制造+材料等】202609 tau V1-V3报告三部曲，V3最新稍深度解读 1）V1解释等效线宽（22/28nm后制程节点都是等效） 2）V"
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# 【申万宏源tmt+制造+材料等】202609 tau V1-V3报告三部曲，V3最新稍深度解读 1）V1解释等效线宽（22/28nm后制程节点都是等效） 2）V

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## 正文

【申万宏源tmt+制造+材料等】202609 tau V1-V3报告三部曲，V3最新稍深度解读

1）V1解释等效线宽（22/28nm后制程节点都是等效）
2）V2 实际上投资者认为新披露的，大部分V1已经论述。
V2论文创新一：工程化 实现/数据/细节，
V2论文创新二：理论化 Gear ratio/散热/引用论文。Gear ratio也将是V3重点
（720nm顶层金属线宽与键合节距的比例关系）
大量引用论文学术开放协同/推测产业不赞成力量来源

3) V3 快速解读周末已完成，我们再稍深度解读：
V3我们解读1：功耗底层拆解
P_total = α·C·V²·f (动态) + P_sc (短路) + V·I_leak (静态泄漏),
P=α·C·V2·f
功耗是平方律优化（电压的平方），且当前互联功耗大大高于逻辑功能功耗。华为重点优化：时钟树（前端的C 线性项和后端）/搬运（上述 C 线性项）/并行化降压（上述V² 平方项）

V3我们解读2：40nm设备为何能做1.5u/720nm键合
技术上拆解DUV 分辨率/套刻精度/键合节距的误区，富裕倍数很安全。
1.5um/1um/720nm/480nm类似电梯井，过720临界点"不用步行直接坐电梯“。
因此混合键和成前道工艺，W2W崛起冲击C2W

V3解读3：tau冲击光模块？
分短距通信如"片内短距 SERDES"/长距光模块分别讨论。

V3解读4：再次底层+架构创新
西方科技倾向于解耦，我们经常产业链一体化。 华为三篇回应几乎所有问题根源于后者。例如上述整体功耗考虑搬运占比而不是静态，再例如引入“热量-热密度-结温“，后者用多层有源硅层散热、剩余热量疏导管理。
在西方产业链这些都解耦了，但我们可以一体化设计明显优化。

标的正文。 包括混合键和设备、先进封测、成熟制程代工、EDA、材料、通信算网、大芯片设计、光模块、液冷等领域。
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V1 小程序://申万宏源研究/O5PCJ8DmhJEVHtp
V2 小程序://申万宏源研究/qKB3DYlh2L5JO9m
V3 小程序://申万宏源研究/CpQvQlMY2jLCtEE

## 总体总结

主题正文
1. 【申万宏源tmt+制造+材料等】202609 tau V1-V3报告三部曲，V3最新稍深度解读
2. 2）V2 实际上投资者认为新披露的，大部分V1已经论述。
3. Gear ratio也将是V3重点
4. P_total = α·C·V²·f (动态) + P_sc (短路) + V·I_leak (静态泄漏),
5. 华为重点优化：时钟树（前端的C 线性项和后端）/搬运（上述 C 线性项）/并行化降压（上述V² 平方项）
6. 1.5um/1um/720nm/480nm类似电梯井，过720临界点"不用步行直接坐电梯“。
7. 例如上述整体功耗考虑搬运占比而不是静态，再例如引入“热量-热密度-结温“，后者用多层有源硅层散热、剩余热量疏导管理。
8. 包括混合键和设备、先进封测、成熟制程代工、EDA、材料、通信算网、大芯片设计、光模块、液冷等领域。