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- UBS维持ASML买入评级，12个月目标价€2,350。核心观点包括：(1) TSMC正式确认自2030年起在高产量制造中部署High NA EUV，验证了商业化时间表，为ASML带来正面催化；(2) 三星计划2028年在DRAM中引入High NA，UBS当前预测仅包含少量三星DRAM High NA工具，存在上修空间；(3) 光掩模从6英寸升级至12英寸将解除拼接限制，显著扩展High NA可覆盖的工艺层级，长期可触及20-30层。UBS预计High NA到本十年末有望占ASML系统销售的10-15%，并推动光刻强度提升1-3个百分点。
UBS于2026年9月8日发布关于ASML的"First Read"快评，维持评级，12个月目标价**€2,350**（当前股价€1,500.4）。报告核心聚焦于High NA EUV光刻技术的产业采用进展，呈现三大正面催化： ：从2030年起在高产量制造中部署High NA EUV，验证了ASML的High NA商业化时间线，支持2029-2030年开始的High NA营收贡献。 ：计划2028年将High NA引入DRAM生产，打破了此前业界对High NA在DRAM适用性的疑虑。 ：TSMC、Intel、Samsung与ASML联合启动产业倡议，目标2031年建成12英寸掩模试点线、2033年实现全面生产就绪。
High NA EUV产业化的三大正面信号
UBS指出，TSMC的正式确认是重要的商业化里程碑。此前市场对High NA的实际采用时间一直存在不确定性，TSMC此次公开宣布为行业提供了清晰的时间表指引。UBS的现有预测已包含2029-2030年向TSMC交付约5-8台High NA系统的假设，因此该消息主要是对既有预测的正面确认。UBS预计初期部署将集中在A10节点的1-2个关键层，意味着早期工具放量将相对温和。
UBS认为这是"重要的增量正面因素"。DRAM晶圆产量规模庞大，而此前业界对High NA在存储芯片上的适用性（特别是三星）持怀疑态度。UBS当前预测仅包含2027年和2028年各1台三星DRAM High NA工具，若采用加速则存在上修空间。值得注意的是，Samsung加入产业倡议也增强了生态系统对High NA的支持力度。
从6英寸到12英寸光掩模的转变是行业层面的重大进展。UBS认为，这一变化将： 消除6英寸掩模固有的拼接（stitching）限制 显著扩展High NA EUV可覆盖的工艺层级 长期可能使High NA触及20-30层，逐步接近Low NA EUV的渗透水平 增强技术的长期相关性和持久性 财务预测要点 指标2025A2026E2027E2028E2029E2030E 营收（€m） 32,667 44,039 58,560 76,225 74,058 79,360 EBIT（€m） 11,342 18,170 26,275 37,903 36,541 40,160 净利润（€m） 9,426 15,170 22,172 31,939 30,795 33,833 EPS（€） 24.24 39.51 58.41 85.17 83.28 92.90 EBIT利润率 34.7% 41.3% 44.9% 49.7% 49.3% 50.6% P/E（x） 29.9 38.0 25.7 17.6 18.0 16.2 UBS预计2028年营收将达到约€762亿，EBIT利润率接近50%，反映出High NA及EUV系统带来的运营杠杆效应。 High NA长期价值定位 UBS重申其核心判断：，并推动整体光刻强度（lithography intensity）提升1-3个百分点。这是因为High NA在关键层上的成本降低，将部分抵消其他工艺步骤（如沉积和蚀刻）的支出。
：买入（Buy） ：€2,350.00 ：€1,500.4（2026年9月7日） ：约57% ：€583b / US$678b ：€680.20 - €1,721.40 基于2027E P/E 25.7x、EV/EBITDA 20.5x，UBS认为ASML估值合理，High NA采用加速将进一步支撑盈利预测上修潜力。
：TSMC虽确认2030年部署，但实际爬坡速度仍存在不确定性，若AI驱动芯片设计需求弱于预期，可能推迟High NA工具采购。 ：DRAM市场周期性较强，若存储芯片需求放缓，三星的High NA投资计划可能被推迟或缩减。 ：尽管当前High NA路线图清晰，但若出现非光刻的替代性技术突破（如纳米压印、自对准技术等），可能影响长期增长前景。 ：作为荷兰半导体设备龙头，ASML面临中美科技博弈下的出口管制压力，可能影响中国市场业务。 ：当前股价已隐含较高增长预期，若关键假设（如2028年€762亿营收）未能兑现，估值回调风险显著。 ：该倡议目标2031年试点、2033年量产，期间存在技术挑战和供应链协调风险。
总体总结
主题正文
- 核心观点包括：(1) TSMC正式确认自2030年起在高产量制造中部署High NA EUV，验证了商业化时间表，为ASML带来正面催化；
- UBS预计High NA到本十年末有望占ASML系统销售的10-15%，并推动光刻强度提升1-3个百分点。
- UBS于2026年9月8日发布关于ASML的"First Read"快评，维持评级，12个月目标价**€2,350**（当前股价€1,500.4）。
- ：从2030年起在高产量制造中部署High NA EUV，验证了ASML的High NA商业化时间线，支持2029-2030年开始的High NA营收贡献。
- UBS预计2028年营收将达到约€762亿，EBIT利润率接近50%，反映出High NA及EUV系统带来的运营杠杆效应。
- UBS重申其核心判断：，并推动整体光刻强度（lithography intensity）提升1-3个百分点。
- ：尽管当前High NA路线图清晰，但若出现非光刻的替代性技术突破（如纳米压印、自对准技术等），可能影响长期增长前景。
- ：当前股价已隐含较高增长预期，若关键假设（如2028年€762亿营收）未能兑现，估值回调风险显著。