---
title: "- UBS维持ASML买入评级，12个月目标价€2,350。核心观点包括：(1) TSMC正式确认自2030年起在高产量制造中部署High NA EUV，验证了"
topic_id: 14425518482121812
created_at: 2026-09-08T20:35:22.109+0800
source: zsxq
type: topic
cssclasses: zsxq-vault
---

# - UBS维持ASML买入评级，12个月目标价€2,350。核心观点包括：(1) TSMC正式确认自2030年起在高产量制造中部署High NA EUV，验证了

- 序号：087
- 星球链接：[打开网页](https://wx.zsxq.com/group/15522451881222/topic/14425518482121812)
- 附件：图片 0，音频 0，文档 0
- 音频文件：_无音频_

## 图片

_无图片_

## 正文

- UBS维持ASML买入评级，12个月目标价€2,350。核心观点包括：(1) TSMC正式确认自2030年起在高产量制造中部署High NA EUV，验证了商业化时间表，为ASML带来正面催化；(2) 三星计划2028年在DRAM中引入High NA，UBS当前预测仅包含少量三星DRAM High NA工具，存在上修空间；(3) 光掩模从6英寸升级至12英寸将解除拼接限制，显著扩展High NA可覆盖的工艺层级，长期可触及20-30层。UBS预计High NA到本十年末有望占ASML系统销售的10-15%，并推动光刻强度提升1-3个百分点。

UBS于2026年9月8日发布关于ASML的"First Read"快评，维持评级，12个月目标价**€2,350**（当前股价€1,500.4）。报告核心聚焦于High NA EUV光刻技术的产业采用进展，呈现三大正面催化：
：从2030年起在高产量制造中部署High NA EUV，验证了ASML的High NA商业化时间线，支持2029-2030年开始的High NA营收贡献。
：计划2028年将High NA引入DRAM生产，打破了此前业界对High NA在DRAM适用性的疑虑。
：TSMC、Intel、Samsung与ASML联合启动产业倡议，目标2031年建成12英寸掩模试点线、2033年实现全面生产就绪。

High NA EUV产业化的三大正面信号

UBS指出，TSMC的正式确认是重要的商业化里程碑。此前市场对High NA的实际采用时间一直存在不确定性，TSMC此次公开宣布为行业提供了清晰的时间表指引。UBS的现有预测已包含2029-2030年向TSMC交付约5-8台High NA系统的假设，因此该消息主要是对既有预测的正面确认。UBS预计初期部署将集中在A10节点的1-2个关键层，意味着早期工具放量将相对温和。

UBS认为这是"重要的增量正面因素"。DRAM晶圆产量规模庞大，而此前业界对High NA在存储芯片上的适用性（特别是三星）持怀疑态度。UBS当前预测仅包含2027年和2028年各1台三星DRAM High NA工具，若采用加速则存在上修空间。值得注意的是，Samsung加入产业倡议也增强了生态系统对High NA的支持力度。

从6英寸到12英寸光掩模的转变是行业层面的重大进展。UBS认为，这一变化将：
消除6英寸掩模固有的拼接（stitching）限制
显著扩展High NA EUV可覆盖的工艺层级
长期可能使High NA触及20-30层，逐步接近Low NA EUV的渗透水平
增强技术的长期相关性和持久性
财务预测要点
指标2025A2026E2027E2028E2029E2030E
营收（€m）
32,667
44,039
58,560
76,225
74,058
79,360
EBIT（€m）
11,342
18,170
26,275
37,903
36,541
40,160
净利润（€m）
9,426
15,170
22,172
31,939
30,795
33,833
EPS（€）
24.24
39.51
58.41
85.17
83.28
92.90
EBIT利润率
34.7%
41.3%
44.9%
49.7%
49.3%
50.6%
P/E（x）
29.9
38.0
25.7
17.6
18.0
16.2
UBS预计2028年营收将达到约€762亿，EBIT利润率接近50%，反映出High NA及EUV系统带来的运营杠杆效应。
High NA长期价值定位
UBS重申其核心判断：，并推动整体光刻强度（lithography intensity）提升1-3个百分点。这是因为High NA在关键层上的成本降低，将部分抵消其他工艺步骤（如沉积和蚀刻）的支出。

：买入（Buy）
：€2,350.00
：€1,500.4（2026年9月7日）
：约57%
：€583b / US$678b
：€680.20 - €1,721.40
基于2027E P/E 25.7x、EV/EBITDA 20.5x，UBS认为ASML估值合理，High NA采用加速将进一步支撑盈利预测上修潜力。

：TSMC虽确认2030年部署，但实际爬坡速度仍存在不确定性，若AI驱动芯片设计需求弱于预期，可能推迟High NA工具采购。
：DRAM市场周期性较强，若存储芯片需求放缓，三星的High NA投资计划可能被推迟或缩减。
：尽管当前High NA路线图清晰，但若出现非光刻的替代性技术突破（如纳米压印、自对准技术等），可能影响长期增长前景。
：作为荷兰半导体设备龙头，ASML面临中美科技博弈下的出口管制压力，可能影响中国市场业务。
：当前股价已隐含较高增长预期，若关键假设（如2028年€762亿营收）未能兑现，估值回调风险显著。
：该倡议目标2031年试点、2033年量产，期间存在技术挑战和供应链协调风险。

## 总体总结

主题正文
1. 核心观点包括：(1) TSMC正式确认自2030年起在高产量制造中部署High NA EUV，验证了商业化时间表，为ASML带来正面催化；
2. UBS预计High NA到本十年末有望占ASML系统销售的10-15%，并推动光刻强度提升1-3个百分点。
3. UBS于2026年9月8日发布关于ASML的"First Read"快评，维持评级，12个月目标价**€2,350**（当前股价€1,500.4）。
4. ：从2030年起在高产量制造中部署High NA EUV，验证了ASML的High NA商业化时间线，支持2029-2030年开始的High NA营收贡献。
5. UBS预计2028年营收将达到约€762亿，EBIT利润率接近50%，反映出High NA及EUV系统带来的运营杠杆效应。
6. UBS重申其核心判断：，并推动整体光刻强度（lithography intensity）提升1-3个百分点。
7. ：尽管当前High NA路线图清晰，但若出现非光刻的替代性技术突破（如纳米压印、自对准技术等），可能影响长期增长前景。
8. ：当前股价已隐含较高增长预期，若关键假设（如2028年€762亿营收）未能兑现，估值回调风险显著。