📊拥有 10 倍 DRAM 位密度，对比传统闪存，具备 7 倍更高的读取带宽，同时拥有 7 倍更出色的读取功耗效率。 💾3D NAND 可以为 HBM 分担大量
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📊拥有 10 倍 DRAM 位密度，对比传统闪存，具备 7 倍更高的读取带宽，同时拥有 7 倍更出色的读取功耗效率。 💾3D NAND 可以为 HBM 分担大量内存容量压力，尤其适用于推理工作负载，这类场景当中，并不是全部数据都需要达到 HBM 级别的延迟。 📅首批样品计划在 2028 年推出。 📋zNAND‑O：zNAND‑O 的核心组件 🔹比特 / 单元：SLC（单级单元） 🔹堆叠技术：V10 BV‑NAND + TSV（硅通孔） 🔹集成方案：将 NPU 与 zNAND‑O 封装在同一个封装内 🔹接口：UCle 标准 🔹封装：针对移动端适配做优化 🔹可扩展性：通过核心裸片堆叠实现纵向扩容，通过多颗 zNAND‑O 实现横向扩容 🚀zNAND‑O：迈向高带宽闪存的第一步 ⚡性能：zNAND‑O 读取延迟小于 3 微秒；带宽 200GB/s（4 高）、400GB/s（8 高） 🔋功耗：200GB/s 工况功耗小于 10 瓦，400GB/s 工况功耗小于 20 瓦 📐面积与可扩展性：占用面积小巧；可以通过纵向扩容、横向扩容两种方式实现性能与容量拓展 🗓️时间规划：2028 年提供样品 ✨“具备类似 LPDDR DRAM 的顺序读取性能，同时拥有更大容量” 📱面向移动 / 固定场景（100B 模型） 📈位密度达到 DRAM 的 10 倍 ⚙️zNAND‑O：读取带宽达到传统闪存的 7 倍，读取功耗效率同样为传统闪存的 7 倍 📲面向片上设备市场，带宽大于 200GB/s
总体总结
主题正文
- 📊拥有 10 倍 DRAM 位密度，对比传统闪存，具备 7 倍更高的读取带宽，同时拥有 7 倍更出色的读取功耗效率。
- 💾3D NAND 可以为 HBM 分担大量内存容量压力，尤其适用于推理工作负载，这类场景当中，并不是全部数据都需要达到 HBM 级别的延迟。
- 📋zNAND‑O：zNAND‑O 的核心组件
- 🔹堆叠技术：V10 BV‑NAND + TSV（硅通孔）
- 🔹可扩展性：通过核心裸片堆叠实现纵向扩容，通过多颗 zNAND‑O 实现横向扩容
- 带宽 200GB/s（4 高）、400GB/s（8 高）
- 🔋功耗：200GB/s 工况功耗小于 10 瓦，400GB/s 工况功耗小于 20 瓦
- ⚙️zNAND‑O：读取带宽达到传统闪存的 7 倍，读取功耗效率同样为传统闪存的 7 倍