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title: "📊拥有 10 倍 DRAM 位密度，对比传统闪存，具备 7 倍更高的读取带宽，同时拥有 7 倍更出色的读取功耗效率。 💾3D NAND 可以为 HBM 分担大量"
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# 📊拥有 10 倍 DRAM 位密度，对比传统闪存，具备 7 倍更高的读取带宽，同时拥有 7 倍更出色的读取功耗效率。 💾3D NAND 可以为 HBM 分担大量

- 序号：115
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## 正文

📊拥有 10 倍 DRAM 位密度，对比传统闪存，具备 7 倍更高的读取带宽，同时拥有 7 倍更出色的读取功耗效率。
💾3D NAND 可以为 HBM 分担大量内存容量压力，尤其适用于推理工作负载，这类场景当中，并不是全部数据都需要达到 HBM 级别的延迟。
📅首批样品计划在 2028 年推出。
📋zNAND‑O：zNAND‑O 的核心组件
🔹比特 / 单元：SLC（单级单元）
🔹堆叠技术：V10 BV‑NAND + TSV（硅通孔）
🔹集成方案：将 NPU 与 zNAND‑O 封装在同一个封装内
🔹接口：UCle 标准
🔹封装：针对移动端适配做优化
🔹可扩展性：通过核心裸片堆叠实现纵向扩容，通过多颗 zNAND‑O 实现横向扩容
🚀zNAND‑O：迈向高带宽闪存的第一步
⚡性能：zNAND‑O 读取延迟小于 3 微秒；带宽 200GB/s（4 高）、400GB/s（8 高）
🔋功耗：200GB/s 工况功耗小于 10 瓦，400GB/s 工况功耗小于 20 瓦
📐面积与可扩展性：占用面积小巧；可以通过纵向扩容、横向扩容两种方式实现性能与容量拓展
🗓️时间规划：2028 年提供样品
✨“具备类似 LPDDR DRAM 的顺序读取性能，同时拥有更大容量”
📱面向移动 / 固定场景（100B 模型）
📈位密度达到 DRAM 的 10 倍
⚙️zNAND‑O：读取带宽达到传统闪存的 7 倍，读取功耗效率同样为传统闪存的 7 倍
📲面向片上设备市场，带宽大于 200GB/s

## 总体总结

主题正文
1. 📊拥有 10 倍 DRAM 位密度，对比传统闪存，具备 7 倍更高的读取带宽，同时拥有 7 倍更出色的读取功耗效率。
2. 💾3D NAND 可以为 HBM 分担大量内存容量压力，尤其适用于推理工作负载，这类场景当中，并不是全部数据都需要达到 HBM 级别的延迟。
3. 📋zNAND‑O：zNAND‑O 的核心组件
4. 🔹堆叠技术：V10 BV‑NAND + TSV（硅通孔）
5. 🔹可扩展性：通过核心裸片堆叠实现纵向扩容，通过多颗 zNAND‑O 实现横向扩容
6. 带宽 200GB/s（4 高）、400GB/s（8 高）
7. 🔋功耗：200GB/s 工况功耗小于 10 瓦，400GB/s 工况功耗小于 20 瓦
8. ⚙️zNAND‑O：读取带宽达到传统闪存的 7 倍，读取功耗效率同样为传统闪存的 7 倍