- 高盛维持英诺赛科(2577.HK)买入评级,12个月目标价114港元(潜在涨幅146.3%)。1H26营收同比+51%/环比+26%至8.34亿元,低于高盛

图片

无图片

正文

高盛维持"买入"评级,(潜在涨幅约146%),基于2030E折现EV/EBITDA估值法。报告核心逻辑围绕公司这一长期成长主题展开。1H26业绩显示毛利率显著改善(11.6% vs. 1H25的6.8%),但短期受消费电子需求疲软拖累,营收低于预期。

1H26业绩回顾:增长强劲但低于预期 核心指标1H251H26同比变化 营收(Rmb m) 553 834

毛利率 6.8%

+4.8pct 经营利润率 -76.6% -36.1% +40.5pct 净亏损(Rmb m) -429 -309 收窄28% :实际1H26营收8.34亿元,较高盛预测(10.25亿)和Bloomberg一致预期(9.49亿)分别低19%/12% : GaN业务:同比+74%/74%,表现强劲 GaN业务:同比仅+11%,受消费电子疲软拖累 :规模效应推动毛利率从1H25的6.8%提升至11.6%,但仍低于高盛14%的预期 :Opex ratio从1H25的83.4%降至47.7%,经营杠杆显现 产品结构升级:高增长赛道的战略卡位

:受益于全面的产品矩阵覆盖(包括5.5kW AC-DC、48V/12V、6V/1V解决方案等)

已获得设计导入 管理层的混合收入目标:AI数据中心、工业、储能与新能源汽车四大高增长板块贡献1H26的64%营收(5.32亿元) 高盛认为,公司能够为不同客户的数据中心架构提供是核心竞争力,产能扩张将进一步支撑其抓住行业需求。 盈利预测调整 指标2026E (旧→新)2027E2028E2029E 营收(Rmb m) 2,224→ (-6%) 4,013 6,217 7,553 毛利率 19.9%→ 31.1% 37.7% 39.8% 净收入(Rmb m) -355→ 367 1,350 1,950 :主因GaN分立器件和IC业务收入下调 :高盛认为产能扩张和产品结构升级将驱动长期增长 (净利润3.67亿元,OPM 10.8%) :OPM预计达25.6%,2029E进一步至29.8%

估值方法:2030E折现EV/EBITDA :30.1x : 2030E EBITDA:39.78亿元 目标EV:1,197亿元(Rmb) 折现回2027E EV:912亿元 净债务调整后股权价值:893亿元 对应每股价值: 估值参数 参数数值 COE(股权成本) 9.5% Beta 1.0 无风险利率 3.0% 市场风险溢价 6.5% 隐含估值倍数 :2027E 23x → 2031E 9x(快速消化) :2027E 243x → 2031E 26x 较当前股价HK$46.28有 12个月远期P/S估值水平 历史均值:21x +1标准差:29x -1标准差:14x 当前估值处于历史区间下沿,凸显安全边际

根据高盛提示,主要风险包括: :第三代半导体替代硅基方案存在技术和生态不确定性 :随着行业参与者增多,可能面临价格战压力 :产能扩张可能延迟或良率不达预期,影响营收增长 其他需关注的潜在风险 :若分立器件/IC业务无法恢复增长,将持续拖累整体毛利率改善节奏 :CSP客户从设计导入到大规模量产存在时间差 :车规级产品认证流程严格,量产时点存在不确定性 :1H26净亏损3.09亿元,需关注现金流和融资能力 :30.1x EV/EBITDA依赖于长期增长兑现,若2027-2028年盈利不及预期,估值面临下修风险

总体总结

主题正文

  1. 1H26毛利率改善至11.6%(1H25为6.8%),受益于规模扩张。
  2. 预计产能扩张和产品结构升级将驱动后续增长,2027-32E盈利预测基本维持不变,但2026E净亏损由3.55亿元上调至4.48亿元。
  3. 1H26业绩显示毛利率显著改善(11.6% vs. 1H25的6.8%),但短期受消费电子需求疲软拖累,营收低于预期。
  4. 管理层的混合收入目标:AI数据中心、工业、储能与新能源汽车四大高增长板块贡献1H26的64%营收(5.32亿元)
  5. 高盛认为,公司能够为不同客户的数据中心架构提供是核心竞争力,产能扩张将进一步支撑其抓住行业需求。
  6. :产能扩张可能延迟或良率不达预期,影响营收增长
  7. :若分立器件/IC业务无法恢复增长,将持续拖累整体毛利率改善节奏
  8. :30.1x EV/EBITDA依赖于长期增长兑现,若2027-2028年盈利不及预期,估值面临下修风险