斗山在材料配方中引入了一种低热膨胀系数(CTE)的有机填充材料，将存储器封装CCL绝缘层厚度减薄至13um

• 序号：221
• 星球链接：打开网页
• 附件：图片 2，音频 0，文档 0
• 音频文件：无音频

图片

5121414418551484

1200

8858484481228182

1200

正文

斗山在材料配方中引入了一种低热膨胀系数(CTE)的有机填充材料，将存储器封装CCL绝缘层厚度减薄至13um

总体总结

主题正文

1. 斗山在材料配方中引入了一种低热膨胀系数(CTE)的有机填充材料，将存储器封装CCL绝缘层厚度减薄至13um