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title: "斗山在材料配方中引入了一种低热膨胀系数(CTE)的有机填充材料，将存储器封装CCL绝缘层厚度减薄至13um"
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# 斗山在材料配方中引入了一种低热膨胀系数(CTE)的有机填充材料，将存储器封装CCL绝缘层厚度减薄至13um

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## 图片

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## 正文

斗山在材料配方中引入了一种低热膨胀系数(CTE)的有机填充材料，将存储器封装CCL绝缘层厚度减薄至13um

## 总体总结

主题正文
1. 斗山在材料配方中引入了一种低热膨胀系数(CTE)的有机填充材料，将存储器封装CCL绝缘层厚度减薄至13um