📑 📈长鑫存储相对同行实现更高增长，背后反映两大关键因素： 💻第一，来自中国国内 AI 服务器市场的强劲需求，涵盖基于 GPU 以及 CPU 搭建的各类系统。
- 序号：153
- 星球链接：打开网页
- 附件：图片 0，音频 0，文档 0
- 音频文件：无音频
图片
无图片
正文
📑 📈长鑫存储相对同行实现更高增长，背后反映两大关键因素： 💻第一，来自中国国内 AI 服务器市场的强劲需求，涵盖基于 GPU 以及 CPU 搭建的各类系统。 🏭第二，受本地化相关要求推动，公司持续开展产能扩张。 🔮我们预测，即便 DRAM 价格走势趋于温和，长鑫存储依旧会继续扩大自身产能。 📝在该假设情景之下，我们设定，当全球内存出现严重供给短缺时，美国云服务提供商、消费电子品牌会开始采购长鑫存储的 DRAM 产品，同时长鑫存储将在 2028 年取得 3D DRAM 技术层面的突破。 🔍我们对设备供应商开展的交叉核查显示，长鑫存储或将采用 VCT 技术。 ⚙️VCT 是一种面向 3D DRAM 进行技术过渡的架构，依靠该技术路线，长鑫存储可以不依赖 EUV 光刻设备，推进至 Gen5（约 15 纳米级别）工艺节点。
总体总结
主题正文
- 📈长鑫存储相对同行实现更高增长，背后反映两大关键因素：
- 💻第一，来自中国国内 AI 服务器市场的强劲需求，涵盖基于 GPU 以及 CPU 搭建的各类系统。
- 🏭第二，受本地化相关要求推动，公司持续开展产能扩张。
- 🔮我们预测，即便 DRAM 价格走势趋于温和，长鑫存储依旧会继续扩大自身产能。
- 📝在该假设情景之下，我们设定，当全球内存出现严重供给短缺时，美国云服务提供商、消费电子品牌会开始采购长鑫存储的 DRAM 产品，同时长鑫存储将在 2028 年取得 3D DRAM 技术层面的突破。
- 🔍我们对设备供应商开展的交叉核查显示，长鑫存储或将采用 VCT 技术。
- ⚙️VCT 是一种面向 3D DRAM 进行技术过渡的架构，依靠该技术路线，长鑫存储可以不依赖 EUV 光刻设备，推进至 Gen5（约 15 纳米级别）工艺节点。