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title: "📑 📈长鑫存储相对同行实现更高增长，背后反映两大关键因素： 💻第一，来自中国国内 AI 服务器市场的强劲需求，涵盖基于 GPU 以及 CPU 搭建的各类系统。"
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# 📑 📈长鑫存储相对同行实现更高增长，背后反映两大关键因素： 💻第一，来自中国国内 AI 服务器市场的强劲需求，涵盖基于 GPU 以及 CPU 搭建的各类系统。

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## 正文

📑
📈长鑫存储相对同行实现更高增长，背后反映两大关键因素：
💻第一，来自中国国内 AI 服务器市场的强劲需求，涵盖基于 GPU 以及 CPU 搭建的各类系统。
🏭第二，受本地化相关要求推动，公司持续开展产能扩张。
🔮我们预测，即便 DRAM 价格走势趋于温和，长鑫存储依旧会继续扩大自身产能。
📝在该假设情景之下，我们设定，当全球内存出现严重供给短缺时，美国云服务提供商、消费电子品牌会开始采购长鑫存储的 DRAM 产品，同时长鑫存储将在 2028 年取得 3D DRAM 技术层面的突破。
🔍我们对设备供应商开展的交叉核查显示，长鑫存储或将采用 VCT 技术。
⚙️VCT 是一种面向 3D DRAM 进行技术过渡的架构，依靠该技术路线，长鑫存储可以不依赖 EUV 光刻设备，推进至 Gen5（约 15 纳米级别）工艺节点。

## 总体总结

主题正文
1. 📈长鑫存储相对同行实现更高增长，背后反映两大关键因素：
2. 💻第一，来自中国国内 AI 服务器市场的强劲需求，涵盖基于 GPU 以及 CPU 搭建的各类系统。
3. 🏭第二，受本地化相关要求推动，公司持续开展产能扩张。
4. 🔮我们预测，即便 DRAM 价格走势趋于温和，长鑫存储依旧会继续扩大自身产能。
5. 📝在该假设情景之下，我们设定，当全球内存出现严重供给短缺时，美国云服务提供商、消费电子品牌会开始采购长鑫存储的 DRAM 产品，同时长鑫存储将在 2028 年取得 3D DRAM 技术层面的突破。
6. 🔍我们对设备供应商开展的交叉核查显示，长鑫存储或将采用 VCT 技术。
7. ⚙️VCT 是一种面向 3D DRAM 进行技术过渡的架构，依靠该技术路线，长鑫存储可以不依赖 EUV 光刻设备，推进至 Gen5（约 15 纳米级别）工艺节点。