- 摩根士丹利通过对未被覆盖的UNT(688469.SS)2026上半年业绩的解读,研判功率半导体行业景气向上:UNT发布涨价通知(模拟/IGBT/MOSFET

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摩根士丹利发布功率半导体行业更新报告,通过对 2026年上半年业绩的解读,传递出功率半导体行业景气向上的积极信号。报告核心结论包括: :UNT于6月底发布涨价通知,模拟、IGBT、MOSFET、SiC器件价格上调 ,经与客户协商后实际执行涨价约 ,预计  开始在财务数据中体现。 :管理层预期在高利用率背景下,~15%的价格上涨将被约5%的成本增长抵消,毛利率将实现 。 :2026年SiC器件收入指引从1Q26业绩会上的"50%以上增长"上调至 ,达到 ,其中  来自出货量增长,剩余来自ASP提升。 :UNT已搭建涵盖 VSCEL、InP、硅光子(Silicon Photonics)、薄膜铌酸锂(TFLN)、SiCe、MEMS OCS(光路交换开关)等多个技术平台,其中 。 📌 行业评级:

一、涨价驱动的毛利率扩张 功率半导体行业经过前期去库存后,进入新一轮涨价周期: 指标数值 涨价通知幅度 15%–25% 实际执行幅度 ~15% 成本上行幅度 ~5% 毛利率净改善 高个位数(High Single Digit) 财务体现时点 2026年3Q末起 这一价格调整反映出行业供需关系已转向卖方市场,。对于UNT本身及整个功率半导体板块而言,涨价带来的盈利弹性值得关注。 二、SiC(碳化硅)业务进入高速放量期 UNT将 ,全年收入目标上调至 : :70%-80% 增长来自出货量增长,剩余来自ASP提升 :SiC在新能源汽车、光伏、储能等应用中的渗透率快速提升 :1Q26业绩会上仅为"50%+"的指引,反映出  这一上调对整个 (包括衬底、外延、器件厂商)均构成正面信号。 三、光互连技术平台布局 UNT在光通信领域的技术布局值得关注,已建立的技术平台包括: (垂直腔面发射激光器) (磷化铟)  — 已进入量产 (薄膜铌酸锂)

(光路交换开关) 💡 硅光子芯片进入量产是关键里程碑,反映出AI算力基础设施对 的需求正在转化为实际订单。 四、Read-Across 投资启示 虽然UNT未被MS正式覆盖,但作为功率半导体行业的重要参与者,其业绩和指引对整个板块具有 : :可能受益于涨价潮的传导 :行业整体进入快速放量阶段 :硅光子量产是积极信号

由于本报告为 ,并非针对单一公司的深度评级,MS未提供具体目标价或估值模型。但关键参考信息包括: :Attractive(具吸引力) :Not Covered(未覆盖,仅作为行业指标参考) :功率半导体 + SiC + 光互连 = 多重利好叠加 投资者可重点关注在 及 领域有布局的 。

:与客户协商后的实际执行价格(~15%)低于涨价通知上限(15-25%),若后续客户进一步压价,盈利改善幅度可能不及预期。 :管理层预计成本上升约5%,若原材料或制造成本涨幅超出预期,将侵蚀涨价带来的利润空间。 :尽管公司上调指引至100%增长,但SiC应用渗透受新能源汽车销量、光伏装机等下游需求影响,存在波动风险。 :国内外功率半导体厂商均在扩产,若供给增速超过需求,可能导致价格战。 :半导体行业受中美科技竞争影响显著,相关政策变化可能影响行业基本面。 :本报告基于UNT的1H26业绩和late June涨价通知,,投资者应关注最新行业动态以验证结论。

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    • 摩根士丹利通过对未被覆盖的UNT(688469.SS)2026上半年业绩的解读,研判功率半导体行业景气向上:UNT发布涨价通知(模拟/IGBT/MOSFET/SiC器件提价15-25%,实际执行约15%),推动毛利率高个位数提升;
  1. :UNT于6月底发布涨价通知,模拟、IGBT、MOSFET、SiC器件价格上调 ,经与客户协商后实际执行涨价约 ,预计  开始在财务数据中体现。
  2. :管理层预期在高利用率背景下,~15%的价格上涨将被约5%的成本增长抵消,毛利率将实现 。
  3. :2026年SiC器件收入指引从1Q26业绩会上的"50%以上增长"上调至 ,达到 ,其中  来自出货量增长,剩余来自ASP提升。
  4. :与客户协商后的实际执行价格(~15%)低于涨价通知上限(15-25%),若后续客户进一步压价,盈利改善幅度可能不及预期。
  5. :管理层预计成本上升约5%,若原材料或制造成本涨幅超出预期,将侵蚀涨价带来的利润空间。
  6. :尽管公司上调指引至100%增长,但SiC应用渗透受新能源汽车销量、光伏装机等下游需求影响,存在波动风险。
  7. :本报告基于UNT的1H26业绩和late June涨价通知,,投资者应关注最新行业动态以验证结论。