- 高盛于2026年7月28日举办韩国存储专家电话会议,核心观点如下:1)传统DRAM价格今年将持续强劲增长(三季度双位数环比涨幅),HBM价格明年有翻倍可能;

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高盛(Goldman Sachs)于2026年7月28日举办了"韩国存储专家电话会议"(Korea Memory Expert Webinar),并于7月29日发布会议纪要。报告核心围绕五大主题展开:,以及。基于专家观点,高盛重申对三星电子(SEC)的**买入(Buy)**评级。

一、DRAM与HBM价格展望:传统DRAM延续涨势,HBM明年或有翻倍空间 专家对存储价格持的判断: : 预计2026年三季度将实现,与近期现货价格的强势上涨趋势一致。 在持续的供应短缺背景下,。 : 由于传统DRAM价格上涨的传导效应,专家认为。 高盛自身预测三星电子HBM价格明年同比上涨,。 核心含义:HBM价格的上涨弹性远超市场普遍预期,这主要受益于AI算力需求驱动的供应紧张,以及传统DRAM涨价带来的联动效应。 二、LTA(长期协议):客户绑定力持续增强 专家强调了LTA的几个关键特征: 条款要素内容

客户提前支付,强化承诺

客户必须按约定量采购

提前解约需承担罚款 :目前,且专家预计未来LTA覆盖率将继续提升。 战略含义:LTA相当于为存储厂商构建了"护城河",既保障了产能利用率,也降低了价格波动风险,对头部厂商(三星、SK海力士)形成结构性利好。 三、中国存储厂商:技术差距决定中短期内威胁有限 虽然中国厂商在,但专家认为其,原因在于: :仍存在显著差距 :落后于领先厂商 :客户接受度有限 核心结论:即便考虑地缘政治因素,中国存储厂商在等关键指标上的差距,短期内难以对三星、SK海力士的高端市场地位构成实质性挑战。 四、产能扩张 vs 位元增长:剪刀差现象显著 :今年产能增加速度将。 :但实际位元产出增长。 关键原因:HBM的"位元换面积"特性——同样面积的晶圆,HBM产出位元远低于传统DRAM。。这本质上是一种"供给侧的结构性紧缩"。 五、混合键合(Hybrid Bonding):渐进式采用 专家预计行业将混合键合技术(相对于传统的TC-NCF键合),而非一蹴而就。这意味着技术升级是渐进式的,而非颠覆性的。

:维持**买入(Buy)**评级(针对三星电子SEC)。 : DRAM价格三季度、四季度连续双位数环比增长; 明年HBM价格有望翻倍(高于市场预期近35个百分点); LTA覆盖率持续提升带来收入可见度增强; :高盛对SEC的HBM价格预测(87%同比)显著高于共识(52%同比),暗示高盛对该公司的盈利预测可能也高于市场平均,存在。

:HBM价格翻倍预期高度依赖AI算力需求持续旺盛,若AI基础设施投资放缓,可能导致HBM涨价不及预期。 :传统DRAM涨价基于"供应短缺"逻辑,但若智能手机、PC等终端市场需求恶化,涨价可能难以持续。 :尽管专家判断中短期内威胁有限,但若中国厂商在良率和可靠性方面取得突破(如长江存储、长鑫存储),竞争格局可能在2-3年后发生变化。 :若行业加速采用混合键合而非渐进式过渡,可能改变现有竞争格局,影响三星的份额。 :LTA虽提供绑定力,但也意味着对少数大客户(如英伟达、AMD、云计算厂商)的依赖度上升,客户议价能力变化可能影响利润率。 :若多家厂商同时激进扩产,可能在2027-2028年出现供过于求,扭转当前涨价趋势。

总体总结

主题正文

    • 高盛于2026年7月28日举办韩国存储专家电话会议,核心观点如下:1)传统DRAM价格今年将持续强劲增长(三季度双位数环比涨幅),HBM价格明年有翻倍可能;
  1. 预计2026年三季度将实现,与近期现货价格的强势上涨趋势一致。
  2. 核心含义:HBM价格的上涨弹性远超市场普遍预期,这主要受益于AI算力需求驱动的供应紧张,以及传统DRAM涨价带来的联动效应。
  3. 战略含义:LTA相当于为存储厂商构建了"护城河",既保障了产能利用率,也降低了价格波动风险,对头部厂商(三星、SK海力士)形成结构性利好。
  4. 核心结论:即便考虑地缘政治因素,中国存储厂商在等关键指标上的差距,短期内难以对三星、SK海力士的高端市场地位构成实质性挑战。
  5. :高盛对SEC的HBM价格预测(87%同比)显著高于共识(52%同比),暗示高盛对该公司的盈利预测可能也高于市场平均,存在。
  6. :HBM价格翻倍预期高度依赖AI算力需求持续旺盛,若AI基础设施投资放缓,可能导致HBM涨价不及预期。
  7. :LTA虽提供绑定力,但也意味着对少数大客户(如英伟达、AMD、云计算厂商)的依赖度上升,客户议价能力变化可能影响利润率。