---
title: "- 高盛于2026年7月28日举办韩国存储专家电话会议，核心观点如下：1）传统DRAM价格今年将持续强劲增长（三季度双位数环比涨幅），HBM价格明年有翻倍可能；"
topic_id: 14422114542245812
created_at: 2026-07-30T20:38:27.416+0800
source: zsxq
type: topic
cssclasses: zsxq-vault
---

# - 高盛于2026年7月28日举办韩国存储专家电话会议，核心观点如下：1）传统DRAM价格今年将持续强劲增长（三季度双位数环比涨幅），HBM价格明年有翻倍可能；

- 序号：094
- 星球链接：[打开网页](https://wx.zsxq.com/group/15522451881222/topic/14422114542245812)
- 附件：图片 0，音频 0，文档 0
- 音频文件：_无音频_

## 图片

_无图片_

## 正文

- 高盛于2026年7月28日举办韩国存储专家电话会议，核心观点如下：1）传统DRAM价格今年将持续强劲增长（三季度双位数环比涨幅），HBM价格明年有翻倍可能；2）长期协议（LTA）通过预付款、照付不议条款等增强绑定力，服务器DRAM过半已签LTA；3）中国存储供应商因良率、技术和可靠性差距，中短期内威胁有限；4）产能扩张力度加大，但因HBM占比提高，位元增长有限；5）混合键合（hybrid bonding）将逐步采用。维持对三星电子的买入评级。

高盛（Goldman Sachs）于2026年7月28日举办了"韩国存储专家电话会议"（Korea Memory Expert Webinar），并于7月29日发布会议纪要。报告核心围绕五大主题展开：，以及。基于专家观点，高盛重申对三星电子（SEC）的**买入（Buy）**评级。

一、DRAM与HBM价格展望：传统DRAM延续涨势，HBM明年或有翻倍空间
专家对存储价格持的判断：
：
预计2026年三季度将实现，与近期现货价格的强势上涨趋势一致。
在持续的供应短缺背景下，。
：
由于传统DRAM价格上涨的传导效应，专家认为。
高盛自身预测三星电子HBM价格明年同比上涨，。
核心含义：HBM价格的上涨弹性远超市场普遍预期，这主要受益于AI算力需求驱动的供应紧张，以及传统DRAM涨价带来的联动效应。
二、LTA（长期协议）：客户绑定力持续增强
专家强调了LTA的几个关键特征：
条款要素内容

客户提前支付，强化承诺

客户必须按约定量采购

提前解约需承担罚款
：目前，且专家预计未来LTA覆盖率将继续提升。
战略含义：LTA相当于为存储厂商构建了"护城河"，既保障了产能利用率，也降低了价格波动风险，对头部厂商（三星、SK海力士）形成结构性利好。
三、中国存储厂商：技术差距决定中短期内威胁有限
虽然中国厂商在，但专家认为其，原因在于：
：仍存在显著差距
：落后于领先厂商
：客户接受度有限
核心结论：即便考虑地缘政治因素，中国存储厂商在等关键指标上的差距，短期内难以对三星、SK海力士的高端市场地位构成实质性挑战。
四、产能扩张 vs 位元增长：剪刀差现象显著
：今年产能增加速度将。
：但实际位元产出增长。
关键原因：HBM的"位元换面积"特性——同样面积的晶圆，HBM产出位元远低于传统DRAM。。这本质上是一种"供给侧的结构性紧缩"。
五、混合键合（Hybrid Bonding）：渐进式采用
专家预计行业将混合键合技术（相对于传统的TC-NCF键合），而非一蹴而就。这意味着技术升级是渐进式的，而非颠覆性的。

：维持**买入（Buy）**评级（针对三星电子SEC）。
：
DRAM价格三季度、四季度连续双位数环比增长；
明年HBM价格有望翻倍（高于市场预期近35个百分点）；
LTA覆盖率持续提升带来收入可见度增强；
：高盛对SEC的HBM价格预测（87%同比）显著高于共识（52%同比），暗示高盛对该公司的盈利预测可能也高于市场平均，存在。

：HBM价格翻倍预期高度依赖AI算力需求持续旺盛，若AI基础设施投资放缓，可能导致HBM涨价不及预期。
：传统DRAM涨价基于"供应短缺"逻辑，但若智能手机、PC等终端市场需求恶化，涨价可能难以持续。
：尽管专家判断中短期内威胁有限，但若中国厂商在良率和可靠性方面取得突破（如长江存储、长鑫存储），竞争格局可能在2-3年后发生变化。
：若行业加速采用混合键合而非渐进式过渡，可能改变现有竞争格局，影响三星的份额。
：LTA虽提供绑定力，但也意味着对少数大客户（如英伟达、AMD、云计算厂商）的依赖度上升，客户议价能力变化可能影响利润率。
：若多家厂商同时激进扩产，可能在2027-2028年出现供过于求，扭转当前涨价趋势。

## 总体总结

主题正文
1. - 高盛于2026年7月28日举办韩国存储专家电话会议，核心观点如下：1）传统DRAM价格今年将持续强劲增长（三季度双位数环比涨幅），HBM价格明年有翻倍可能；
2. 预计2026年三季度将实现，与近期现货价格的强势上涨趋势一致。
3. 核心含义：HBM价格的上涨弹性远超市场普遍预期，这主要受益于AI算力需求驱动的供应紧张，以及传统DRAM涨价带来的联动效应。
4. 战略含义：LTA相当于为存储厂商构建了"护城河"，既保障了产能利用率，也降低了价格波动风险，对头部厂商（三星、SK海力士）形成结构性利好。
5. 核心结论：即便考虑地缘政治因素，中国存储厂商在等关键指标上的差距，短期内难以对三星、SK海力士的高端市场地位构成实质性挑战。
6. ：高盛对SEC的HBM价格预测（87%同比）显著高于共识（52%同比），暗示高盛对该公司的盈利预测可能也高于市场平均，存在。
7. ：HBM价格翻倍预期高度依赖AI算力需求持续旺盛，若AI基础设施投资放缓，可能导致HBM涨价不及预期。
8. ：LTA虽提供绑定力，但也意味着对少数大客户（如英伟达、AMD、云计算厂商）的依赖度上升，客户议价能力变化可能影响利润率。
