【GSDZ】存储接下来的确定性机会——SCM及配套芯片 1、什么是SCM：存储级内存，融合了内存的低延迟、高带宽特性和闪存的大容量、持久化特性，使用的存储颗粒特
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【GSDZ】存储接下来的确定性机会——SCM及配套芯片
1、什么是SCM：存储级内存，融合了内存的低延迟、高带宽特性和闪存的大容量、持久化特性，使用的存储颗粒特性位于传统内存介质与闪存介质（如TLCNANDFlash）之间，弥合两者之间的性能与成本鸿沟； 2、为什么要推：原因很简单，面向向量数据库、GNN等负载，数据规模已经从1B向10B–100B甚至1T向量发展（来源NV2026GTCPPT），如果爆炸的存储需求增长下，用HBM/DRAM首先产能不够、其次太贵！用TLC/QLC面临擦写次数和IOPS硬伤！ 3、谁在推SCM：英特尔（傲腾+3DXPOINT，生不逢时）、NV（Storage-Next，CMX上下文存储层）、铠侠（XL-FLASH）、三星（Z-NAND）、长存、江波龙、大普微、新存科技（相变存储PCM）； 4、利好哪些环节：SLCNAND、MLCNAND、PCM以及配套芯片SSDcontroller、VPD等，未来eSSDcontroller除Flash管理外，还需要安全加密、数据预处理\向量检索加速甚至轻量级AI加速模块。 重点看好SSDco 想看更多请加V：xian20210130 ntroller及VPD的国产化机会——联芸科技、聚辰股份、大普微!
总体总结
主题正文
- 【GSDZ】存储接下来的确定性机会——SCM及配套芯片
- 1、什么是SCM：存储级内存，融合了内存的低延迟、高带宽特性和闪存的大容量、持久化特性，使用的存储颗粒特性位于传统内存介质与闪存介质（如TLCNANDFlash）之间，弥合两者之间的性能与成本鸿沟；
- 2、为什么要推：原因很简单，面向向量数据库、GNN等负载，数据规模已经从1B向10B–100B甚至1T向量发展（来源NV2026GTCPPT），如果爆炸的存储需求增长下，用HBM/DRAM首先产能不够、其次太贵！
- 用TLC/QLC面临擦写次数和IOPS硬伤！
- 3、谁在推SCM：英特尔（傲腾+3DXPOINT，生不逢时）、NV（Storage-Next，CMX上下文存储层）、铠侠（XL-FLASH）、三星（Z-NAND）、长存、江波龙、大普微、新存科技（相变存储PCM）；
- 4、利好哪些环节：SLCNAND、MLCNAND、PCM以及配套芯片SSDcontroller、VPD等，未来eSSDcontroller除Flash管理外，还需要安全加密、数据预处理\向量检索加速甚至轻量级AI加速模块。
- 重点看好SSDco 想看更多请加V：xian20210130 ntroller及VPD的国产化机会——联芸科技、聚辰股份、大普微!