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title: "【GSDZ】存储接下来的确定性机会——SCM及配套芯片 1、什么是SCM：存储级内存，融合了内存的低延迟、高带宽特性和闪存的大容量、持久化特性，使用的存储颗粒特"
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# 【GSDZ】存储接下来的确定性机会——SCM及配套芯片 1、什么是SCM：存储级内存，融合了内存的低延迟、高带宽特性和闪存的大容量、持久化特性，使用的存储颗粒特

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## 正文

【GSDZ】存储接下来的确定性机会——SCM及配套芯片

1、什么是SCM：存储级内存，融合了内存的低延迟、高带宽特性和闪存的大容量、持久化特性，使用的存储颗粒特性位于传统内存介质与闪存介质（如TLCNANDFlash）之间，弥合两者之间的性能与成本鸿沟；
2、为什么要推：原因很简单，面向向量数据库、GNN等负载，数据规模已经从1B向10B–100B甚至1T向量发展（来源NV2026GTCPPT），如果爆炸的存储需求增长下，用HBM/DRAM首先产能不够、其次太贵！用TLC/QLC面临擦写次数和IOPS硬伤！
3、谁在推SCM：英特尔（傲腾+3DXPOINT，生不逢时）、NV（Storage-Next，CMX上下文存储层）、铠侠（XL-FLASH）、三星（Z-NAND）、长存、江波龙、大普微、新存科技（相变存储PCM）；
4、利好哪些环节：SLCNAND、MLCNAND、PCM以及配套芯片SSDcontroller、VPD等，未来eSSDcontroller除Flash管理外，还需要安全加密、数据预处理\向量检索加速甚至轻量级AI加速模块。
重点看好SSDco 想看更多请加V：xian20210130 ntroller及VPD的国产化机会——联芸科技、聚辰股份、大普微!

## 总体总结

主题正文
1. 【GSDZ】存储接下来的确定性机会——SCM及配套芯片
2. 1、什么是SCM：存储级内存，融合了内存的低延迟、高带宽特性和闪存的大容量、持久化特性，使用的存储颗粒特性位于传统内存介质与闪存介质（如TLCNANDFlash）之间，弥合两者之间的性能与成本鸿沟；
3. 2、为什么要推：原因很简单，面向向量数据库、GNN等负载，数据规模已经从1B向10B–100B甚至1T向量发展（来源NV2026GTCPPT），如果爆炸的存储需求增长下，用HBM/DRAM首先产能不够、其次太贵！
4. 用TLC/QLC面临擦写次数和IOPS硬伤！
5. 3、谁在推SCM：英特尔（傲腾+3DXPOINT，生不逢时）、NV（Storage-Next，CMX上下文存储层）、铠侠（XL-FLASH）、三星（Z-NAND）、长存、江波龙、大普微、新存科技（相变存储PCM）；
6. 4、利好哪些环节：SLCNAND、MLCNAND、PCM以及配套芯片SSDcontroller、VPD等，未来eSSDcontroller除Flash管理外，还需要安全加密、数据预处理\向量检索加速甚至轻量级AI加速模块。
7. 重点看好SSDco 想看更多请加V：xian20210130 ntroller及VPD的国产化机会——联芸科技、聚辰股份、大普微!