中國記憶體追趕超預期？根據韓國經濟新聞報導，中國最大DRAM製造商長鑫存儲（CXMT），正於合肥秘密測試新一代Bonded DRAM（鍵合式DRAM）試產線，希
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中國記憶體追趕超預期？根據韓國經濟新聞報導，中國最大DRAM製造商長鑫存儲（CXMT），正於合肥秘密測試新一代Bonded DRAM（鍵合式DRAM）試產線，希望在不使用EUV微影設備的情況下，透過DUV多重曝光與晶圓鍵合技術生產高密度、高效能DRAM。
韓媒指出，長鑫在技術開發速度上，甚至可能已領先三星電子與SK海力士，並預計最快近期推動IPO擴大募資。CXMT全球DRAM市占率已提升至約8%，更傳出有望成為蘋果新的DRAM供應商，同時也積極投入HBM3、HBM3E及下一代CXL記憶體開發。
除了DRAM之外，中國NAND龍頭長江存儲（YMTC）憑藉自主Xtacking混合鍵合技術，也被認為已在關鍵專利數量上，超越三星與SK海力士。
根據韓媒引用資料，YMTC擁有119項混合鍵合核心專利，高於三星的83項與SK海力士的11項，甚至傳出三星為開發430層以上新世代NAND，需取得YMTC部分專利授權，在美國出口管制下，中國與韓國記憶體技術差距，已由約5年縮小至約3年。
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中国记忆体追赶超预期？根据韩国经济新闻报导，中国最大DRAM製造商长鑫存储（CXMT），正于合肥秘密测试新一代Bon诶e诶 DRAM（键合式DRAM）试产线，希望在不使用EUV微影设备的情况下，透过DUV多重曝光与晶圆键合技术生产高密度、高效能DRAM。
韩媒指出，长鑫在技术开发速度上，甚至可能已领先三星电子与SK海力士，并预计最快近期推动IPO扩大募资。CXMT全球DRAM市占率已提升至约8%，更传出有望成为苹果新的DRAM供应商，同时也积极投入HBM3、HBM3E及下一代CXL记忆体开发。
除了DRAM之外，中国NAND龙头长江存储（YMTC）凭藉自主Xtacking混合键合技术，也被认为已在关键专利数量上，超越三星与SK海力士。
根据韩媒引用资料，YMTC拥有119项混合键合核心专利，高于三星的83项与SK海力士的11项，甚至传出三星为开发430层以上新世代NAND，需取得YMTC部分专利授权，在美国出口管制下，中国与韩国记忆体技术差距，已由约5年缩小至约3年。
总体总结
主题正文
- 根據韓國經濟新聞報導，中國最大DRAM製造商長鑫存儲（CXMT），正於合肥秘密測試新一代Bonded DRAM（鍵合式DRAM）試產線，希望在不使用EUV微影設備的情況下，透過DUV多重曝光與晶圓鍵合技術生產高密度、高效能DRAM。
- CXMT全球DRAM市占率已提升至約8%，更傳出有望成為蘋果新的DRAM供應商，同時也積極投入HBM3、HBM3E及下一代CXL記憶體開發。
- 除了DRAM之外，中國NAND龍頭長江存儲（YMTC）憑藉自主Xtacking混合鍵合技術，也被認為已在關鍵專利數量上，超越三星與SK海力士。
- 根據韓媒引用資料，YMTC擁有119項混合鍵合核心專利，高於三星的83項與SK海力士的11項，甚至傳出三星為開發430層以上新世代NAND，需取得YMTC部分專利授權，在美國出口管制下，中國與韓國記憶體技術差距，已由約5年縮小至約3年。
- 根据韩国经济新闻报导，中国最大DRAM製造商长鑫存储（CXMT），正于合肥秘密测试新一代Bon诶e诶 DRAM（键合式DRAM）试产线，希望在不使用EUV微影设备的情况下，透过DUV多重曝光与晶圆键合技术生产高密度、高效能DRAM。
- 韩媒指出，长鑫在技术开发速度上，甚至可能已领先三星电子与SK海力士，并预计最快近期推动IPO扩大募资。
- CXMT全球DRAM市占率已提升至约8%，更传出有望成为苹果新的DRAM供应商，同时也积极投入HBM3、HBM3E及下一代CXL记忆体开发。
- 根据韩媒引用资料，YMTC拥有119项混合键合核心专利，高于三星的83项与SK海力士的11项，甚至传出三星为开发430层以上新世代NAND，需取得YMTC部分专利授权，在美国出口管制下，中国与韩国记忆体技术差距，已由约5年缩小至约3年。