--- title: "中國記憶體追趕超預期？根據韓國經濟新聞報導，中國最大DRAM製造商長鑫存儲（CXMT），正於合肥秘密測試新一代Bonded DRAM（鍵合式DRAM）試產線，希" topic_id: 55522421484184514 created_at: 2026-07-07T14:04:51.507+0800 source: zsxq type: topic cssclasses: zsxq-vault --- # 中國記憶體追趕超預期？根據韓國經濟新聞報導，中國最大DRAM製造商長鑫存儲（CXMT），正於合肥秘密測試新一代Bonded DRAM（鍵合式DRAM）試產線，希 - 序号：199 - 星球链接：[打开网页](https://wx.zsxq.com/group/15522451881222/topic/55522421484184514) - 附件：图片 2，音频 0，文档 0 - 音频文件：_无音频_ ## 图片 ### 1525411415882842 _图片文件缺失_ ### 1525411415882882 _图片文件缺失_ ## 正文 中國記憶體追趕超預期？根據韓國經濟新聞報導，中國最大DRAM製造商長鑫存儲（CXMT），正於合肥秘密測試新一代Bonded DRAM（鍵合式DRAM）試產線，希望在不使用EUV微影設備的情況下，透過DUV多重曝光與晶圓鍵合技術生產高密度、高效能DRAM。 韓媒指出，長鑫在技術開發速度上，甚至可能已領先三星電子與SK海力士，並預計最快近期推動IPO擴大募資。CXMT全球DRAM市占率已提升至約8%，更傳出有望成為蘋果新的DRAM供應商，同時也積極投入HBM3、HBM3E及下一代CXL記憶體開發。 除了DRAM之外，中國NAND龍頭長江存儲（YMTC）憑藉自主Xtacking混合鍵合技術，也被認為已在關鍵專利數量上，超越三星與SK海力士。 根據韓媒引用資料，YMTC擁有119項混合鍵合核心專利，高於三星的83項與SK海力士的11項，甚至傳出三星為開發430層以上新世代NAND，需取得YMTC部分專利授權，在美國出口管制下，中國與韓國記憶體技術差距，已由約5年縮小至約3年。 --我是可爱的繁简体分界线-- 中国记忆体追赶超预期？根据韩国经济新闻报导，中国最大DRAM製造商长鑫存储（CXMT），正于合肥秘密测试新一代Bon诶e诶 DRAM（键合式DRAM）试产线，希望在不使用EUV微影设备的情况下，透过DUV多重曝光与晶圆键合技术生产高密度、高效能DRAM。 韩媒指出，长鑫在技术开发速度上，甚至可能已领先三星电子与SK海力士，并预计最快近期推动IPO扩大募资。CXMT全球DRAM市占率已提升至约8%，更传出有望成为苹果新的DRAM供应商，同时也积极投入HBM3、HBM3E及下一代CXL记忆体开发。 除了DRAM之外，中国NAND龙头长江存储（YMTC）凭藉自主Xtacking混合键合技术，也被认为已在关键专利数量上，超越三星与SK海力士。 根据韩媒引用资料，YMTC拥有119项混合键合核心专利，高于三星的83项与SK海力士的11项，甚至传出三星为开发430层以上新世代NAND，需取得YMTC部分专利授权，在美国出口管制下，中国与韩国记忆体技术差距，已由约5年缩小至约3年。 ## 总体总结 主题正文 1. 根據韓國經濟新聞報導，中國最大DRAM製造商長鑫存儲（CXMT），正於合肥秘密測試新一代Bonded DRAM（鍵合式DRAM）試產線，希望在不使用EUV微影設備的情況下，透過DUV多重曝光與晶圓鍵合技術生產高密度、高效能DRAM。 2. CXMT全球DRAM市占率已提升至約8%，更傳出有望成為蘋果新的DRAM供應商，同時也積極投入HBM3、HBM3E及下一代CXL記憶體開發。 3. 除了DRAM之外，中國NAND龍頭長江存儲（YMTC）憑藉自主Xtacking混合鍵合技術，也被認為已在關鍵專利數量上，超越三星與SK海力士。 4. 根據韓媒引用資料，YMTC擁有119項混合鍵合核心專利，高於三星的83項與SK海力士的11項，甚至傳出三星為開發430層以上新世代NAND，需取得YMTC部分專利授權，在美國出口管制下，中國與韓國記憶體技術差距，已由約5年縮小至約3年。 5. 根据韩国经济新闻报导，中国最大DRAM製造商长鑫存储（CXMT），正于合肥秘密测试新一代Bon诶e诶 DRAM（键合式DRAM）试产线，希望在不使用EUV微影设备的情况下，透过DUV多重曝光与晶圆键合技术生产高密度、高效能DRAM。 6. 韩媒指出，长鑫在技术开发速度上，甚至可能已领先三星电子与SK海力士，并预计最快近期推动IPO扩大募资。 7. CXMT全球DRAM市占率已提升至约8%，更传出有望成为苹果新的DRAM供应商，同时也积极投入HBM3、HBM3E及下一代CXL记忆体开发。 8. 根据韩媒引用资料，YMTC拥有119项混合键合核心专利，高于三星的83项与SK海力士的11项，甚至传出三星为开发430层以上新世代NAND，需取得YMTC部分专利授权，在美国出口管制下，中国与韩国记忆体技术差距，已由约5年缩小至约3年。