800V 高压环境必须使用SiC 碳化硅、GaN 氮化镓器件，传统硅 MOS 无法耐受高压，单电源功率半导体成本占比 30%+ SiC 碳化硅：天岳先进 GaN
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800V 高压环境必须使用SiC 碳化硅、GaN 氮化镓器件，传统硅 MOS 无法耐受高压，单电源功率半导体成本占比 30%+
SiC 碳化硅：天岳先进 GaN氮化镓：云南锗业
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主题正文
- 800V 高压环境必须使用SiC 碳化硅、GaN 氮化镓器件，传统硅 MOS 无法耐受高压，单电源功率半导体成本占比 30%+
- SiC 碳化硅：天岳先进
- GaN氮化镓：云南锗业