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title: "800V 高压环境必须使用SiC 碳化硅、GaN 氮化镓器件，传统硅 MOS 无法耐受高压，单电源功率半导体成本占比 30%+ SiC 碳化硅：天岳先进 GaN"
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# 800V 高压环境必须使用SiC 碳化硅、GaN 氮化镓器件，传统硅 MOS 无法耐受高压，单电源功率半导体成本占比 30%+ SiC 碳化硅：天岳先进 GaN

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## 正文

800V 高压环境必须使用SiC 碳化硅、GaN 氮化镓器件，传统硅 MOS 无法耐受高压，单电源功率半导体成本占比 30%+

SiC 碳化硅：天岳先进
GaN氮化镓：云南锗业

## 总体总结

主题正文
1. 800V 高压环境必须使用SiC 碳化硅、GaN 氮化镓器件，传统硅 MOS 无法耐受高压，单电源功率半导体成本占比 30%+
2. SiC 碳化硅：天岳先进
3. GaN氮化镓：云南锗业