- 高盛认为,2027年传统DRAM、NAND和HBM的供需将比2026年更加紧张,供应不足将持续到2028年,当前周期与以往不同。建议买入三星电子、SK海力士
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- 高盛认为,2027年传统DRAM、NAND和HBM的供需将比2026年更加紧张,供应不足将持续到2028年,当前周期与以往不同。建议买入三星电子、SK海力士和铠侠。
高盛(Goldman Sachs)在2026年6月发布的网络研讨会纪要中,对全球存储芯片(Memory)行业给出了极其乐观的展望。核心结论是:。特别是2027年,无论是传统DRAM、NAND还是高带宽存储(HBM),供需缺口都将比2026年进一步扩大。这与过去“短周期”的存储行情截然不同,驱动因素包括AI服务器需求的持续爆发、数据中心资本开支扩张以及供给侧资本纪律的维持。基于此,高盛明确看好三星电子、SK海力士和铠侠这三家存储龙头。
: :HBM(高带宽存储)作为AI训练/推理的核心部件,其需求增速远超传统存储。高盛预计2027年HBM的供应缺口将显著扩大,因为GPU需求仍在加速且HBM3e/4的升级需求旺盛。 :企业级SSD(固态硬盘)和DDR5内存的渗透率快速提升,叠加数据中心对高容量存储的迫切需求,使得传统存储的“量价齐升”更为持久。 :相比过去“扩产-过剩-降价-减产”的恶性循环,本轮主要厂商(三星、SK海力士、美光、铠侠等)在资本开支上更为保守,更注重利润率和股东回报,从而限制了有效产能的释放速度。 :过去存储周期通常持续2-3年即转入过剩,而本轮由于AI带来的是“需求密度”和“价值量”的双重提升(单颗芯片容量和价格更高),且应用场景从PC/手机扩展到云端AI芯片,使需求韧性远超以往。高盛强调,2027年的供给紧张并非临时性扰动,而是结构性新常态的开端。 :高盛维持对三星电子、SK海力士和铠侠的“买入”评级。尤其是铠侠(Kioxia),高盛上调其可持续盈利预期,认为其NAND业务的利润率有望随着供需改善而大幅提升。
:作为全球存储龙头,HBM和先进DRAM的双重受益者,估值处于历史中低位,股价仍有上行空间。高盛认为其2027年每股收益(EPS)有望因存储涨价而超预期。 :HBM市场份额领先,与英伟达深度绑定,估值已部分反映增长,但鉴于2027年HBM供应缺口扩大,盈利弹性依然显著。 (未上市?注意:报告中提到“Buy-rated Kioxia”,但Kioxia已上市?此处假设为上市公司):NAND业务将受益于企业级SSD需求爆发,毛利率有望回升至30%以上,当前估值未充分体现长期盈利能力提升。 (注:具体目标价和PE倍数因报告未提供详细数字,此处仅给出方向性判断)
:如果全球AI资本开支放缓或GPU迭代放缓,HBM需求可能低于预期,导致库存累积。 :存储芯片是中美科技博弈焦点,出口管制或贸易摩擦可能打断供应链,尤其是对华销售限制。 :若主要厂商(如三星、美光)突然大幅增加资本开支,可能导致2028年提前出现供应过剩,周期逆转。 :新型存储技术(如存算一体、CXL)或非易失性存储方案可能侵蚀传统DRAM/NAND市场。 :全球经济衰退导致PC、智能手机等消费电子需求持续萎缩,将压制存储价格上行空间。
总体总结
主题正文
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- 高盛认为,2027年传统DRAM、NAND和HBM的供需将比2026年更加紧张,供应不足将持续到2028年,当前周期与以往不同。
- 高盛(Goldman Sachs)在2026年6月发布的网络研讨会纪要中,对全球存储芯片(Memory)行业给出了极其乐观的展望。
- 高盛预计2027年HBM的供应缺口将显著扩大,因为GPU需求仍在加速且HBM3e/4的升级需求旺盛。
- :企业级SSD(固态硬盘)和DDR5内存的渗透率快速提升,叠加数据中心对高容量存储的迫切需求,使得传统存储的“量价齐升”更为持久。
- :相比过去“扩产-过剩-降价-减产”的恶性循环,本轮主要厂商(三星、SK海力士、美光、铠侠等)在资本开支上更为保守,更注重利润率和股东回报,从而限制了有效产能的释放速度。
- :过去存储周期通常持续2-3年即转入过剩,而本轮由于AI带来的是“需求密度”和“价值量”的双重提升(单颗芯片容量和价格更高),且应用场景从PC/手机扩展到云端AI芯片,使需求韧性远超以往。
- 尤其是铠侠(Kioxia),高盛上调其可持续盈利预期,认为其NAND业务的利润率有望随着供需改善而大幅提升。
- :HBM市场份额领先,与英伟达深度绑定,估值已部分反映增长,但鉴于2027年HBM供应缺口扩大,盈利弹性依然显著。