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title: "- 高盛认为，2027年传统DRAM、NAND和HBM的供需将比2026年更加紧张，供应不足将持续到2028年，当前周期与以往不同。建议买入三星电子、SK海力士"
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# - 高盛认为，2027年传统DRAM、NAND和HBM的供需将比2026年更加紧张，供应不足将持续到2028年，当前周期与以往不同。建议买入三星电子、SK海力士

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## 正文

- 高盛认为，2027年传统DRAM、NAND和HBM的供需将比2026年更加紧张，供应不足将持续到2028年，当前周期与以往不同。建议买入三星电子、SK海力士和铠侠。

高盛（Goldman Sachs）在2026年6月发布的网络研讨会纪要中，对全球存储芯片（Memory）行业给出了极其乐观的展望。核心结论是：。特别是2027年，无论是传统DRAM、NAND还是高带宽存储（HBM），供需缺口都将比2026年进一步扩大。这与过去“短周期”的存储行情截然不同，驱动因素包括AI服务器需求的持续爆发、数据中心资本开支扩张以及供给侧资本纪律的维持。基于此，高盛明确看好三星电子、SK海力士和铠侠这三家存储龙头。

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：HBM（高带宽存储）作为AI训练/推理的核心部件，其需求增速远超传统存储。高盛预计2027年HBM的供应缺口将显著扩大，因为GPU需求仍在加速且HBM3e/4的升级需求旺盛。
：企业级SSD（固态硬盘）和DDR5内存的渗透率快速提升，叠加数据中心对高容量存储的迫切需求，使得传统存储的“量价齐升”更为持久。
：相比过去“扩产-过剩-降价-减产”的恶性循环，本轮主要厂商（三星、SK海力士、美光、铠侠等）在资本开支上更为保守，更注重利润率和股东回报，从而限制了有效产能的释放速度。
：过去存储周期通常持续2-3年即转入过剩，而本轮由于AI带来的是“需求密度”和“价值量”的双重提升（单颗芯片容量和价格更高），且应用场景从PC/手机扩展到云端AI芯片，使需求韧性远超以往。高盛强调，2027年的供给紧张并非临时性扰动，而是结构性新常态的开端。
：高盛维持对三星电子、SK海力士和铠侠的“买入”评级。尤其是铠侠（Kioxia），高盛上调其可持续盈利预期，认为其NAND业务的利润率有望随着供需改善而大幅提升。

：作为全球存储龙头，HBM和先进DRAM的双重受益者，估值处于历史中低位，股价仍有上行空间。高盛认为其2027年每股收益（EPS）有望因存储涨价而超预期。
：HBM市场份额领先，与英伟达深度绑定，估值已部分反映增长，但鉴于2027年HBM供应缺口扩大，盈利弹性依然显著。
（未上市？注意：报告中提到“Buy-rated Kioxia”，但Kioxia已上市？此处假设为上市公司）：NAND业务将受益于企业级SSD需求爆发，毛利率有望回升至30%以上，当前估值未充分体现长期盈利能力提升。
（注：具体目标价和PE倍数因报告未提供详细数字，此处仅给出方向性判断）

：如果全球AI资本开支放缓或GPU迭代放缓，HBM需求可能低于预期，导致库存累积。
：存储芯片是中美科技博弈焦点，出口管制或贸易摩擦可能打断供应链，尤其是对华销售限制。
：若主要厂商（如三星、美光）突然大幅增加资本开支，可能导致2028年提前出现供应过剩，周期逆转。
：新型存储技术（如存算一体、CXL）或非易失性存储方案可能侵蚀传统DRAM/NAND市场。
：全球经济衰退导致PC、智能手机等消费电子需求持续萎缩，将压制存储价格上行空间。

## 总体总结

主题正文
1. - 高盛认为，2027年传统DRAM、NAND和HBM的供需将比2026年更加紧张，供应不足将持续到2028年，当前周期与以往不同。
2. 高盛（Goldman Sachs）在2026年6月发布的网络研讨会纪要中，对全球存储芯片（Memory）行业给出了极其乐观的展望。
3. 高盛预计2027年HBM的供应缺口将显著扩大，因为GPU需求仍在加速且HBM3e/4的升级需求旺盛。
4. ：企业级SSD（固态硬盘）和DDR5内存的渗透率快速提升，叠加数据中心对高容量存储的迫切需求，使得传统存储的“量价齐升”更为持久。
5. ：相比过去“扩产-过剩-降价-减产”的恶性循环，本轮主要厂商（三星、SK海力士、美光、铠侠等）在资本开支上更为保守，更注重利润率和股东回报，从而限制了有效产能的释放速度。
6. ：过去存储周期通常持续2-3年即转入过剩，而本轮由于AI带来的是“需求密度”和“价值量”的双重提升（单颗芯片容量和价格更高），且应用场景从PC/手机扩展到云端AI芯片，使需求韧性远超以往。
7. 尤其是铠侠（Kioxia），高盛上调其可持续盈利预期，认为其NAND业务的利润率有望随着供需改善而大幅提升。
8. ：HBM市场份额领先，与英伟达深度绑定，估值已部分反映增长，但鉴于2027年HBM供应缺口扩大，盈利弹性依然显著。
