技术路线与良率进展：单通道 200G 硅光方案良率正处于爬坡阶段，参考 800G 产品经验，预计一年内可实现与单通道 100G 相当的成熟度（良率达八九成）；单
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技术路线与良率进展：单通道 200G 硅光方案良率正处于爬坡阶段，参考 800G 产品经验，预计一年内可实现与单通道 100G 相当的成熟度（良率达八九成）；单通道 400G 主流方向为纯硅光方案（2026 年 Coherent 提出），薄膜铌酸锂与硅基异质集成方案因良率、可靠性差，两三年内难
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主题正文
- 技术路线与良率进展：单通道 200G 硅光方案良率正处于爬坡阶段，参考 800G 产品经验，预计一年内可实现与单通道 100G 相当的成熟度（良率达八九成）；
- 单通道 400G 主流方向为纯硅光方案（2026 年 Coherent 提出），薄膜铌酸锂与硅基异质集成方案因良率、可靠性差，两三年内难