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title: "技术路线与良率进展：单通道 200G 硅光方案良率正处于爬坡阶段，参考 800G 产品经验，预计一年内可实现与单通道 100G 相当的成熟度（良率达八九成）；单"
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# 技术路线与良率进展：单通道 200G 硅光方案良率正处于爬坡阶段，参考 800G 产品经验，预计一年内可实现与单通道 100G 相当的成熟度（良率达八九成）；单

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技术路线与良率进展：单通道 200G 硅光方案良率正处于爬坡阶段，参考 800G 产品经验，预计一年内可实现与单通道 100G 相当的成熟度（良率达八九成）；单通道 400G 主流方向为纯硅光方案（2026 年 Coherent 提出），薄膜铌酸锂与硅基异质集成方案因良率、可靠性差，两三年内难

## 总体总结

主题正文
1. 技术路线与良率进展：单通道 200G 硅光方案良率正处于爬坡阶段，参考 800G 产品经验，预计一年内可实现与单通道 100G 相当的成熟度（良率达八九成）；
2. 单通道 400G 主流方向为纯硅光方案（2026 年 Coherent 提出），薄膜铌酸锂与硅基异质集成方案因良率、可靠性差，两三年内难