【东吴电子陈海进】半导体靶材深度：先进制程 + 晶圆扩产双轮驱动，竞争格局极好，看好国内龙头公司放量！ 晶圆扩产 + HBM/Chiplet/CoWoS 升级双
- 序号：533
- 星球链接：打开网页
- 附件：图片 0，音频 0，文档 0
- 音频文件：无音频
图片
无图片
正文
【东吴电子陈海进】半导体靶材深度：先进制程 + 晶圆扩产双轮驱动，竞争格局极好，看好国内龙头公司放量！
晶圆扩产 + HBM/Chiplet/CoWoS 升级双逻辑拉动靶材需求
溅射靶材是 PVD 薄膜沉积核心耗材，国内市场稳步扩容；7-3nm 逻辑、3D-NAND、HBM、先进封装持续抬升单片价值量，国内 300mm 产线资本开支向上传导，经过我们测算，远期全球靶材空间有望翻倍。
靶材制备工序复杂、纯度 / 晶粒 / 绑定精度壁垒高，认证周期长、客户粘性强
靶材制备工序复杂，核心指标容错空间极小，纯度、晶粒织构、背板绑定构成三重硬壁垒，晶圆厂认证周期普遍 1–3 年，一旦导入切换成本高、客户粘性极强，行业格局短期难以洗牌。
高端靶材国产替代加速，头部份额有望持续抬升
以江丰电子为代表的国产靶材企业有望充分受益于AI基建，市场规模有望持续扩容。公司靶材覆盖130nm-3nm， 客户覆盖台积电、海力士、中芯等全球主流晶圆及存储厂；公司充分整合产业链上下游，新建产能释放周期精准匹配下游Fab厂扩产周期，靶材涨价预期明确，量价齐升逻辑驱动业绩释放，建议重点关注。
[爆竹] 风险提示：晶圆厂资本开支不及预期；先进制程验证进度不及预期；金属原料价格波动；海外龙头竞争加剧
总体总结
主题正文
- 【东吴电子陈海进】半导体靶材深度：先进制程 + 晶圆扩产双轮驱动，竞争格局极好，看好国内龙头公司放量！
- 溅射靶材是 PVD 薄膜沉积核心耗材，国内市场稳步扩容；
- 7-3nm 逻辑、3D-NAND、HBM、先进封装持续抬升单片价值量，国内 300mm 产线资本开支向上传导，经过我们测算，远期全球靶材空间有望翻倍。
- 靶材制备工序复杂，核心指标容错空间极小，纯度、晶粒织构、背板绑定构成三重硬壁垒，晶圆厂认证周期普遍 1–3 年，一旦导入切换成本高、客户粘性极强，行业格局短期难以洗牌。
- 公司靶材覆盖130nm-3nm， 客户覆盖台积电、海力士、中芯等全球主流晶圆及存储厂；
- 公司充分整合产业链上下游，新建产能释放周期精准匹配下游Fab厂扩产周期，靶材涨价预期明确，量价齐升逻辑驱动业绩释放，建议重点关注。
- [爆竹] 风险提示：晶圆厂资本开支不及预期；
- 金属原料价格波动；