【拓荆科技】Q3扣非同比+33.6%，盈利能力持续提升！ Q3扣非同比+33.6%！ 【营收】23.08亿元，yoy+1.8%，qoq+28.2%； 【归母】1
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【拓荆科技】Q3扣非同比+33.6%，盈利能力持续提升！
Q3扣非同比+33.6%！ 【营收】23.08亿元，yoy+1.8%，qoq+28.2%； 【归母】10.88亿元，yoy+135.4%，qoq+40.9%； 【扣非】5.61亿元，yoy+33.6%，qoq+111.6%； 【毛利率】42.5%，yoy+8.1pct，qoq+1.9pct； 26年前三季度，公司在先进存储、先进逻辑等领域的技术持续突破，核心竞争力持续提升，叠加先进产品、先进工艺设备量产应用，生产规模效应逐步释放，毛利及毛利率均同比增长，盈利能力显著增强。此外，公司Q3产生公允价值变动收益6.8亿元，有效增厚了利润。
本土薄膜沉积平台龙头、先进制程机台验证顺利。 ①PECVD设备应用于先进存储/先进逻辑的产品，如PECVD Stack（ONO 叠层）等产品批量通过客户验证，转入规模量产；26H1已出货不同工艺机台至海外客户端。 ②ALD设备的PE-ALD SiO2、SiN、SiCO 等多款设备量产规模快速提升，Thermal-ALD首台TiN工艺产品通过客户验证。 ③收购无锡尚积，拓至PVD领域，打造薄膜沉积全品类布局。
国产W2W/D2W混合设备绝对龙头 公司W2W混合键合产品持续获得订单，并有多台通过客户验证，量产规模大幅提升，新一代高速高精度W2W混合键合产品已顺利通过客户验证，性能对标最先进国际水准；D2W混合键合设备正在客户端验证中。 混合键合设备已应用在3D NAND、CIS等领域，未来有望拓至AI芯片、HBM、3D DRAM等领域。
两存/先进制程扩产预期强化。 26年两存扩产预期持续强化，每万片NAND/DRAM扩产有望带动近百亿的开支增量；先进制程端，随着国产AI、相关消费电子应用需求旺盛，供不应求，有望积极扩产带动上游先进设备需求。
风险提示：下游大型晶圆厂扩产不及预期；行业竞争加剧。
总体总结
主题正文
- 26年前三季度，公司在先进存储、先进逻辑等领域的技术持续突破，核心竞争力持续提升，叠加先进产品、先进工艺设备量产应用，生产规模效应逐步释放，毛利及毛利率均同比增长，盈利能力显著增强。
- 此外，公司Q3产生公允价值变动收益6.8亿元，有效增厚了利润。
- ①PECVD设备应用于先进存储/先进逻辑的产品，如PECVD Stack（ONO 叠层）等产品批量通过客户验证，转入规模量产；
- ②ALD设备的PE-ALD SiO2、SiN、SiCO 等多款设备量产规模快速提升，Thermal-ALD首台TiN工艺产品通过客户验证。
- 公司W2W混合键合产品持续获得订单，并有多台通过客户验证，量产规模大幅提升，新一代高速高精度W2W混合键合产品已顺利通过客户验证，性能对标最先进国际水准；
- 混合键合设备已应用在3D NAND、CIS等领域，未来有望拓至AI芯片、HBM、3D DRAM等领域。
- 26年两存扩产预期持续强化，每万片NAND/DRAM扩产有望带动近百亿的开支增量；
- 风险提示：下游大型晶圆厂扩产不及预期；