📑 🌐 🤔我们认为，未来 3‑5 年，全球光通信芯片市场会持续受益于高端光模块（即 800G 与 1.6T 产品）以及近封装光 / 共封装光（NPO/CPO）方
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🌐 🤔我们认为，未来 3‑5 年，全球光通信芯片市场会持续受益于高端光模块（即 800G 与 1.6T 产品）以及近封装光 / 共封装光（NPO/CPO）方案带来的旺盛需求。 ✅我们认为，依托连续波激光器（CW）的。 🔍当前主流光芯片方案（包含硅光子与电吸收调制激光器）均采用 “高速窄通道” 架构，使用数量较少的超高速数据通道；光芯片的速率升级（例如从 200G 升级至 400G）对支撑行业创新周期至关重要。 📈与此同时，我们注意到光芯片领域的技术龙头正在积极开发 “低速宽通道” 方案（多通道、中低速率通道），该方案可以加快光芯片市场的技术迭代。 🔎我们看到行业头部公司正在针对即将到来的 NPO/CPO 市场，积极开发包含 VCSEL 以及 MicroLED 在内的技术方案。 ⚠️ 📉传统直调直检（IM‑DD）方案存在长距离信号失真、带宽受限等短板，相干 / 轻量相干调制技术在网络横向扩容、向外拓展的场景中应用规模正在提升。 💡举例来看，谷歌（GOOG US，无评级）预计将从 2027 预测年度开始部署 2.4T 轻量相干方案。 🧪从材料层面来看，我们认为 FP、DFB、EML、CW 激光器等主流激光器产品，上游均使用磷化铟（InP）材料，会带动磷化铟衬底需求持续走高。 🔬砷化镓（GaAs）是另一类可用于发光的 III‑V 族化合物半导体材料，可以应用于 VCSEL 以及 MicroLED 产品。 ✨除此之外，我们认为薄膜铌酸锂（TFLN）以及钛酸钡（BTO）材料，在下一代光通信技术当中的重要程度会持续提升。 📦 📊针对磷化铟激光芯片，我们测算包含 EML、VCSEL、CW 在内的磷化铟激光芯片整体出货量，将从 2026 预测年度的 4.8 亿颗，增长至 2028 预测年度的 15.42 亿颗。 👍我们认为，未来 1‑2 年，伴随着源杰科技（688498 CH，中性）、Source Photonics（未上市）等中国公司在全球市场渗透率提升，70 毫瓦 / 100 毫瓦连续波激光器、100G EML 等中低端光芯片供给会更加充足。 🚨但 200 毫瓦及以上连续波激光器、200G 以上 EML 激光器、高速 VCSEL 芯片等高端光芯片依旧由海外全球公司主导；受产能扩张缓慢、设备交期长、良率问题制约，我们判断 2026‑2027 预测年度仍将存在供给缺口。 🔑 🏭住友电工（5802 JP，买入）、JX 金属（5016 JP，买入）、AXT（AXTI US，无评级）三家头部公司垄断高端磷化铟衬底供应链；同时，中国出台的磷化铟衬底及原材料出口管控政策，有可能对全球市场的有效供给造成负面影响。
总体总结
主题正文
- 🤔我们认为，未来 3‑5 年，全球光通信芯片市场会持续受益于高端光模块（即 800G 与 1.6T 产品）以及近封装光 / 共封装光（NPO/CPO）方案带来的旺盛需求。
- 📉传统直调直检（IM‑DD）方案存在长距离信号失真、带宽受限等短板，相干 / 轻量相干调制技术在网络横向扩容、向外拓展的场景中应用规模正在提升。
- 💡举例来看，谷歌（GOOG US，无评级）预计将从 2027 预测年度开始部署 2.4T 轻量相干方案。
- 📊针对磷化铟激光芯片，我们测算包含 EML、VCSEL、CW 在内的磷化铟激光芯片整体出货量，将从 2026 预测年度的 4.8 亿颗，增长至 2028 预测年度的 15.42 亿颗。
- 👍我们认为，未来 1‑2 年，伴随着源杰科技（688498 CH，中性）、Source Photonics（未上市）等中国公司在全球市场渗透率提升，70 毫瓦 / 100 毫瓦连续波激光器、100G EML 等中低端光芯片供给会更加充足。
- 🚨但 200 毫瓦及以上连续波激光器、200G 以上 EML 激光器、高速 VCSEL 芯片等高端光芯片依旧由海外全球公司主导；
- 🏭住友电工（5802 JP，买入）、JX 金属（5016 JP，买入）、AXT（AXTI US，无评级）三家头部公司垄断高端磷化铟衬底供应链；
- 同时，中国出台的磷化铟衬底及原材料出口管控政策，有可能对全球市场的有效供给造成负面影响。