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lumentum交流：
一、FCC 65% BOM 讨论下的产能规划：明显比年初激进
产能规划更激进：受美国 FCC 关于 65% BOM 条例讨论影响，公司对 CW 和 EML 光芯片的产能规划比年初或上半年更激进，预期增长幅度远超年初规划，扩产计划也大得多。
2026 年出货结构：2026 年激光芯片总出货量预计 1.4 亿颗，其中 CW 激光芯片约 1000 多万颗，其余绝大部分为 EML。
2027 年规划：没有明确最终数字，但规划增长率高于行业平均水平；公司总产能规划预计 1.5 亿颗，其中包括用于相干类产品的激光器。
扩产周期：产能扩张准备周期通 首发公众号：思维纪要社 常 1 年以上。设备采购周期一般超过半年；设备到厂后还需约 3 个月调试、3 个月样品验证、3 个月芯片可靠性认证。但扩产不是一次性决策，公司会持续增加设备订单、在多个地点建设产线，并按季度根据市场情况上调扩张速度，因此扩产计划并非完全固定。
2027 年 50% 增长是下限：50% 增长是规划下限。2025 年出货约 8000 万颗，2026 年预计增速接近翻倍，远超年初设定的 50% 增长目标。行业评估 2027 年整个光模块市场增幅可能达 100%，按公司扩张规律，增速至少能跟上甚至超过行业平均。
2028 年产能“售罄”的含义：2028 年产能售罄是基于一个预估扩张计划，具体规划尚未最终确定；销售时通常以 50% 产能增长为基准进行预售，并预留一部分产能作为零散订单。实际扩张速度往往超过最初计划，超出预售部分的额外产能未来可能采取拍卖等方式销售。
2028 年扩张幅度：具体计划未定，行业常规是每年按行业平均水平预估、按季度更新；按行业平均增速推算，2028 年相较 2027 年产能扩张幅度预计在 50%–100%。
二、EML 与 CW 的产能分配及产品策略
扩产仍以 EML 为主：EML 市场需求强劲，订单已排至 2028 年。
CW 需求：2027 年 CW 激光芯片需求预计 1000 多万颗。针对 NPO 应用的 100–200mW CW 激光器，预计 2027 年下半年可能产生数百万至 1000 万颗需求，2028 年才真正放量。
CW 产品策略动态调整：
最初专注高功率产品，甚至不做 300mW 以下产品；
收到英伟达 20 亿美元投资后，开始布局 300mW 以上产品；
为应对 NPO 市场兴起，规划部分产能生产 100–200mW 产品；
为充分利用产线产能，也开始涉足 70mW 和 100mW 低功率产品。
综合看，如果 NPO 市场需求起量，各类 CW 激光芯片总需求可能超过 3000 万颗。
2027 年 EML 速率结构：扩产同时涵盖 100G 和 200G EML，200G 增速更快。2026 年 200G EML 出货占比约 20%，年底预计达 25%；2027 年在总出货预计 2.5 亿颗背景下，200G EML 占比提升至 40%，对应约 1 亿颗；100G EML 预计 1.5 亿颗。
三、原材料、价格与盈利能力
磷化铟衬底短缺：磷化铟材料本身供应充足，但加工成的衬底存在短缺，主要因衬底产能扩张周期需 1 年以上。供应不至于中断，但衬底价格已上涨 超过一倍。
衬底供应商：公司衬底采购主要来自两家：一家在中国和日本均有业务的公司，另一家是住友。
涨价影响：衬底价格确实上涨，但未对各家公司的产能造成实际影响；行业普遍认为材料本身不短缺，主要是衬底厂产能不足，更像衬底厂借机提价。
光模块定价调整：200G 产品确认涨价，100G 价格基本稳定。200G 价格从涨价前的 14–15 美元，先后涨至 16 美元，目前约 18 美元；100G 长协价维持在 六七千元人民币。零散订单成交价远高于长协价，200G 零单价格可能是长协价的 2–3 倍。
200G 扩产驱动：主要依据行业需求和良率提升，良率是关键。经过一年技术积累和工艺优化，良率翻倍完全有可能，可在不显著增加设备的情况下拉动产能。目前 200G 良率仍有较大提升空间，产量尚不足 100G 产品的一半。
硅光与 EML 毛利对比：公司只做硅光模块，因为 EML 方案研发出的产品不具备成本优势，利润空间甚至不如直接外购；但硅光业务盈利能力也面临挑战。原文未给出具体毛利率数字。相干产品是公司利润最高的产品线，利润率甚至高于 200G EML。四、硅光与 EML 的技术路线、需求优先级与竞争格局
市场优先选择 EML：只有在 EML 产能耗尽后，才作为次选采用硅光。200G EML 到 2028 年订单已售罄，而硅光方案订单周期通常只有几个月，反映两者市场需求差异显著。
需求与产能对比：EML 需求达到产能的 140%，硅光需求尚未达到 100%。EML 核心瓶颈在芯片供应，没有芯片就无法生产；硅光供应商众多，只要有订单，许多 SIC 厂家都能生产。
应用场景差异：EML 性能更强，适用于 500 米至 2 公里传输；硅光主要用于 500 米以下场景；必须满足 2 公里传输的应用只能选 EML。目前不仅 2 公里产品需求旺盛，用于几十公里传输的相干产品也已售罄。
硅光增长快的原因：并非性能或价格优势，而是产能巨大且可无限扩张。某代工厂硅光晶圆产出从 2025 年每月 1 万片，增至 2026 年每月 3 万片，预计 2027 年达每月 9 万片，每年约 3 倍增长。近期市场涌现十几到二十家新硅光公司，其中一家产能扩张速度甚至达十倍。
公司自研 PIC 水平：公司在行业内相对落后，与 Coherent、新盛（原文表述，或指新易盛）处于相似水平，均大幅落后行业领先者。行业 PIC 前三强是旭创、思科（原 Acacia）和英特尔，三者处于同一梯队、差距不大，其他公司与之存在显著差距。旭创和思科 2025 年已实现 1.6T 产品量产；公司原计划 2026 年上半年量产 1.6T 光模块，但至 2026 年底仍因技术问题停留在小批量阶段，未规模化生产。
1.6T 光芯片自研能力：公司研发能力不逊于 Coherent 或新易盛，但政策不允许采购第三方芯片，必须坚持自研，因此整体进度有所放缓。
五、相干产品：需求、客户、盈利与竞争
需求与产能：相干产品需求预计 2027 年翻倍，但具体产能扩张速度尚不明确；目前产能已供不应求，新订单已暂停接收。
主要客户：包括 Ciena 和 Nokia，主要用于通信领域骨干网传输。
盈利能力：相干产品是公司利润最高的产品线，利润率甚至高于 200G EML。
价格与订单：由于 2026 年上半年产能无法满足需求，相干产品已经涨价；下半年因产能完全售罄而停止接新单。如果 2027 年需求持续增长而产能跟不上，价格可能进一步上调。
竞争格局：相干产品是公司核心技术，具备市场独占性；主要竞争对手 Coherent 虽有相关产品，但不对外销售，且性能和产量也不及公司。
六、NPO/CPO 技术成熟度与公司布局
NPO 成熟度：NPO 处于成熟前期，预计最晚 2027 年年中或年底可实现量产，技术实现难度相对 1.6T 光模块提升不大。
CPO 成熟度：行业普遍认为 CPO 还需约 两年才能成熟。
公司核心产品是 CW 光源：公司在 100–200mW 功率 CW 光源上具备强大竞争力，拥有至少 两年技术优势期。有观点认为 NPO 初期方案仅需 110–120mW CW 光源，但实际需求可能在 150mW 以上，且随着未来集成度提高，对光源功率需求会相应增加。
公司 NPO/CPO 研发进展：公司内部有团队进行 NPO 和 CPO 光模块研发，但目前 3.2T NPO 的硅光芯片尚未完成；当前针对 3.2T NPO 的方案是采用两颗 1.6T 芯片组合实现，而非单颗 3.2T 芯片方案。
3.2T NPO 两种主流方案：
类似公司和 Coherent 采用：两颗 1.6T 芯片（每颗 8 通道）组合；
旭创等采用：单颗 3.2T 芯片（16 通道）方案。
NPO 架构中没有独立 DSP 芯片，其功能由交换芯片承担，对交换芯片技术要求更高。影响电压要求的关键因素是单通道速率，例如 400G 单通道速率需要更高电压；通道数增加不影响电压要求，因为各通道为并联设计，电流是平行的。
七、200G EML 竞争格局与 DSP/3.2T 技术路线
200G EML 竞争格局：在 100G EML 市场，公司约占 60% 份额；在 200G EML 市场，公司占据绝大部分份额，博通份额相对较小。公司为 2027 年准备了约 1 亿颗 200G EML 产能。
DSP 电压提升难度：提升 DSP 电压难度非常大。1.6T 光模块所用 DSP 已采用 3nm 工艺，此前 4nm 阶段曾出现重大问题，直到升级至 3nm 才解决。DSP 研发难度与手机芯片相当，目前全球只有 博通和 Marvell 两家公司能够制造。若要求他们为提升电压重新研发，可能需要投入数十亿美元成本，并非易事。如果一个光芯片方案没有相应 DSP 支持，仅靠设备驱动，无法实现量产。
3.2T 路线判断：
目前最快能够实现 3.2T 的方案是 400G EML；
其次是基于薄膜铌酸锂的硅光方案，但行业评估认为技术上可行却难以大规模量产，性能、可靠性、抑制比、集成度和良率都较差，无法满足千万级出货需求；
行业普遍认为最终解决方案仍需依靠硅光技术自身实现单通道 400G。
AI 驱动与技术难题：按传统光模块行业发展速度，3.2T 确实很难实现，但 AI 发展正驱动尖端技术加速落地，例如 DSP 工艺从过去 10nm 推进到当前 3nm。技术难题虽大，但终将被攻克，只是需要 两到三年。目前明确的技术路线只有两条：400G EML 和 400G 纯硅光，其他方案包括薄膜铌酸锂都只是过渡方案。
硅光 DSP 电压问题的解决思路：增加电压的硅光方案在光芯片层面已走通，但仍受限于电芯片支持。电芯片具备可拆分灵活性，理论上可通过使用两个 DSP 驱动一个 400G 光芯片，因为电信号可以叠加；采用两个 DSP 会带来功耗问题，但这与当前 CPO、NPO 因集成度提高导致功耗激增的趋势类似，理论上可行，实现只是时间问题。
400G EML 产品化时间：行业普遍认为 400G EML 方案会先于硅光方案推出。公司已于 2026 年上半年推出 400G EML 样品；按行业规律，预计 2027 年上半年可实现小批量生产；再经过约一年客户认证周期，最快将在 2028 年年中完成客户端样品验证；完成验证后，距离正式上架销售仍需约一年时间。
八、800G 量产瓶颈与其他
800G 量产不及预期原因：根源在于光芯片与封装工艺的匹配。封装角度认为是光芯片设计余量过小，导致封装良率极低；光芯片团队则认为是封装工艺存在问题，双方尚未达成统一结论。
解决时间与产能恢复：根据内部评估，预计该问题有望在 2027 年春节前解决。问题解决后，月产能预计能恢复到 10 万个以上的正常规划水平，公司生产能力本身已具备该规模。
总体总结
主题正文
- 产能规划更激进：受美国 FCC 关于 65% BOM 条例讨论影响，公司对 CW 和 EML 光芯片的产能规划比年初或上半年更激进，预期增长幅度远超年初规划，扩产计划也大得多。
- 2026 年出货结构：2026 年激光芯片总出货量预计 1.4 亿颗，其中 CW 激光芯片约 1000 多万颗，其余绝大部分为 EML。
- 2025 年出货约 8000 万颗，2026 年预计增速接近翻倍，远超年初设定的 50% 增长目标。
- 销售时通常以 50% 产能增长为基准进行预售，并预留一部分产能作为零散订单。
- 针对 NPO 应用的 100–200mW CW 激光器，预计 2027 年下半年可能产生数百万至 1000 万颗需求，2028 年才真正放量。
- 零散订单成交价远高于长协价，200G 零单价格可能是长协价的 2–3 倍。
- 硅光增长快的原因：并非性能或价格优势，而是产能巨大且可无限扩张。
- 某代工厂硅光晶圆产出从 2025 年每月 1 万片，增至 2026 年每月 3 万片，预计 2027 年达每月 9 万片，每年约 3 倍增长。