📄 📰 中国存储威胁再度浮出水面，但现阶段无需过度担忧，成本效率与良率问题仍有待解决。 📈 ⭐ 我们优先看好三星电子，维持买入评级，目标价 45 万韩元。 ⚠️
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📰 中国存储威胁再度浮出水面，但现阶段无需过度担忧，成本效率与良率问题仍有待解决。 📈 ⭐ 我们优先看好三星电子，维持买入评级，目标价 45 万韩元。 ⚠️ 中国存储竞争威胁再度引发市场关注：受中国 DRAM 制造公司追赶技术、打破 DRAM 寡头格局消息影响，存储板块股价过去两天下跌。 📰 根据 10 月 12 日《》报道，长鑫存储将在 2026 年末完成基于 4F² 单元结构的服务器 DRAM 开发，该技术从原有 6F² 迭代而来，。 📌 韩国厂商计划 2028 年及以后，在 10a/10b 工艺节点采用 4F² 垂直通道晶体管结构，而美光则选择直接向 3D DRAM 路线推进。 🔍 虽然从长期维度来看该事件具备负面影响，但对行业格局的短期冲击有限。 📋 当前对应的 JEDEC 行业标准尚未确立，同时还需要与 CPU 制造公司开展漫长的产品验证流程。 🧐 我们判断未来 2‑3 年，该事件对存储芯片价格以及行业竞争格局带来的影响有限，近期股价回调反而给存储板块股票带来更好的风险收益比，目前还没到需要担忧的阶段。 ❗ 当前公开可获取信息有限，还不足以评估最终影响；想要形成实质性行业冲击，还必须解决两大核心问题： 🔧 假设长鑫存储采用传统 14‑15nm 深紫外光刻技术，实际等效制造工艺为 12‑13nm。 ⏱️ 该工艺下光刻曝光步骤会增加，制造周期相比原有方案要多出 30‑50%。 ⚠️ 实现可接受的大规模量产良率是另一项关键难题；尤其是处在 DRAM 下行周期之中，良率偏低会成为非常显著的竞争劣势。 🔬 DRAM 行业正在发生三大主要技术变革，最终演进方向指向 3D DRAM。 📉 随着工艺微缩难度提升、良率水平下滑，市场对 3D DRAM 技术的需求正在逐步显现。 ✨ 三大技术发展方向： 📐 得益于单元结构效率提升，4F² 技术可以把芯片面积缩减大约 30%；而垂直栅极技术未来还有望实现无电容 DRAM 架构。 🚧 向 3D DRAM 转型的一大障碍，是用于存储开关状态的电容元件需要被替代。 🔭 我们预计 5‑10 年之内，行业会逐步向浮体单元、浮栅单元这类无电容、垂直栅极技术路线演进。 💰 2026 年第四季度 DRAM 价格前景向好，HBM 业务发展势头强劲。 📊 受 Vera Rubin 平台、ASIC 加速器需求旺盛驱动，更多 DRAM 产能被分配至 HBM 产品，供给紧张将推动 2026 年第四季度 DRAM 价格实现。 🛒 需求端两大支撑因素：
总体总结
主题正文
- ⚠️ 中国存储竞争威胁再度引发市场关注：受中国 DRAM 制造公司追赶技术、打破 DRAM 寡头格局消息影响，存储板块股价过去两天下跌。
- 📰 根据 10 月 12 日《》报道，长鑫存储将在 2026 年末完成基于 4F² 单元结构的服务器 DRAM 开发，该技术从原有 6F² 迭代而来，。
- 📌 韩国厂商计划 2028 年及以后，在 10a/10b 工艺节点采用 4F² 垂直通道晶体管结构，而美光则选择直接向 3D DRAM 路线推进。
- 🔍 虽然从长期维度来看该事件具备负面影响，但对行业格局的短期冲击有限。
- 🧐 我们判断未来 2‑3 年，该事件对存储芯片价格以及行业竞争格局带来的影响有限，近期股价回调反而给存储板块股票带来更好的风险收益比，目前还没到需要担忧的阶段。
- 🔭 我们预计 5‑10 年之内，行业会逐步向浮体单元、浮栅单元这类无电容、垂直栅极技术路线演进。
- 💰 2026 年第四季度 DRAM 价格前景向好，HBM 业务发展势头强劲。
- 📊 受 Vera Rubin 平台、ASIC 加速器需求旺盛驱动，更多 DRAM 产能被分配至 HBM 产品，供给紧张将推动 2026 年第四季度 DRAM 价格实现。