📑 📅10 月 10 日，中国 DRAM 公司长鑫存储有关名为 “4F²” 新型存储单元架构的技术进展消息对外披露，该公司总裁给出积极表态，计划在 2026 年
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📅10 月 10 日，中国 DRAM 公司长鑫存储有关名为 “4F²” 新型存储单元架构的技术进展消息对外披露，该公司总裁给出积极表态，计划在 2026 年底前推出基于 4F² 架构的全新服务器内存产品。 📉自消息披露之后，主要存储供应商的股价出现下跌，包括三星电子、SK 海力士、美光、闪迪、铠侠以及长鑫存储，跌幅区间在 11%‑26%，存储板块合计市值蒸发规模远超 7000 亿美元。 🤔我们认为，本次股价下跌也存在其他驱动因素，例如信贷与人工智能融资层面的担忧、高于市场预期的 CPI 数据等。佐证在于，。 📈除此之外，作为 DRAM 市场情绪风向标，DRAM 现货价格在同一时间段内延续上行趋势。 🔍尽管如此，本报告将分析长鑫存储公布的 4F² 技术，对比长鑫存储与三星电子、SK 海力士之间的技术、产能水平，研判该消息有多少已经被市场价格所消化。 💡核心结论：。 📊存储板块个股近期大幅回调，这或许意味着市场此前低估了来自中国的产能爬坡速度以及技术突破的潜在可能性。 ✅我们认为产能快速爬坡这一点符合现实； ⚠️但针对技术突破，我们判断市场实际存在高估。完成客户认证、实现高良率大规模量产、缩小 HBM 这类先进 DRAM 技术差距，都需要耗费漫长时间。 💹当前三星电子 2027 年预期 / 2028 年预期市净率估值分别为 1.2 倍、0.9 倍；SK 海力士 2027 年预期 / 2028 年预期市净率估值分别为 1.4 倍、0.9 倍。 📉部分个股估值已经低于账面净资产，代表市场已经在定价 2028 年行业下行周期，相比我们 “高景气维持更久” 的判断，市场情绪要悲观得多。 ✨因此从基本面角度看，，但我们同时认识到，至少在短期层面，能够推动股价快速修复的催化因素较为有限。
总体总结
主题正文
- 📅10 月 10 日，中国 DRAM 公司长鑫存储有关名为 “4F²” 新型存储单元架构的技术进展消息对外披露，该公司总裁给出积极表态，计划在 2026 年底前推出基于 4F² 架构的全新服务器内存产品。
- 📉自消息披露之后，主要存储供应商的股价出现下跌，包括三星电子、SK 海力士、美光、闪迪、铠侠以及长鑫存储，跌幅区间在 11%‑26%，存储板块合计市值蒸发规模远超 7000 亿美元。
- 📈除此之外，作为 DRAM 市场情绪风向标，DRAM 现货价格在同一时间段内延续上行趋势。
- 🔍尽管如此，本报告将分析长鑫存储公布的 4F² 技术，对比长鑫存储与三星电子、SK 海力士之间的技术、产能水平，研判该消息有多少已经被市场价格所消化。
- 💹当前三星电子 2027 年预期 / 2028 年预期市净率估值分别为 1.2 倍、0.9 倍；
- SK 海力士 2027 年预期 / 2028 年预期市净率估值分别为 1.4 倍、0.9 倍。
- 📉部分个股估值已经低于账面净资产，代表市场已经在定价 2028 年行业下行周期，相比我们 “高景气维持更久” 的判断，市场情绪要悲观得多。