【中信电子】长鑫科技：4F²架构取得关键进展， 近期存储板块宽幅震荡公司当前位置赔率胜率俱佳，持续推荐！ [玫瑰]事件：长鑫科技介绍公司4F² DRAM架构研发
- 序号：024
- 星球链接：打开网页
- 附件：图片 0，音频 0，文档 0
- 音频文件：无音频
图片
无图片
正文
【中信电子】长鑫科技：4F²架构取得关键进展， 近期存储板块宽幅震荡公司当前位置赔率胜率俱佳，持续推荐！
[玫瑰]事件：长鑫科技介绍公司4F² DRAM架构研发取得关键进展，计划于2026年底推出融合4F²架构与混合键合技术的新一代DDR5 RDIMM产品。 为市场首发4F²架构商业化厂商。相同特征尺寸下，4F²存储单元理论面积约为当前主流的6F²架构的2/3，采用公司自研VSG垂直包围沟道晶体管，通过垂直布局缩小晶体管平面占用、增强栅极对沟道的控制。
[太阳]【制程与架构协同升级，国产DRAM持续进阶】：此前公司G5平台已实现量产，有源区半间距缩小至11.95nm， 对标海外1b/1β制程；此次4F²研发进一步推进存储单元架构迭代， 与海外先进制程距离进一步拉平。我们看好新架构与先进工艺逐步导入产品后，公司产品存储密度、单bit成本和性能持续优化。
[玫瑰]公司同步加大研发和产业化投入，此前拟使用180亿元超募资金投向技术研发及产业化、存储器晶圆后道测试基地二期等项目，持续完善IDM布局。我们看好公司先进工艺迭代、高端产品拓展与产能配套建设，国产DRAM成长空间持续打开，坚定看好，持续推荐！
具体欢迎联系中信电子交流！
总体总结
主题正文
- 【中信电子】长鑫科技：4F²架构取得关键进展， 近期存储板块宽幅震荡公司当前位置赔率胜率俱佳，持续推荐！
- [玫瑰]事件：长鑫科技介绍公司4F² DRAM架构研发取得关键进展，计划于2026年底推出融合4F²架构与混合键合技术的新一代DDR5 RDIMM产品。
- 相同特征尺寸下，4F²存储单元理论面积约为当前主流的6F²架构的2/3，采用公司自研VSG垂直包围沟道晶体管，通过垂直布局缩小晶体管平面占用、增强栅极对沟道的控制。
- [太阳]【制程与架构协同升级，国产DRAM持续进阶】：此前公司G5平台已实现量产，有源区半间距缩小至11.95nm， 对标海外1b/1β制程；
- 此次4F²研发进一步推进存储单元架构迭代， 与海外先进制程距离进一步拉平。
- 我们看好新架构与先进工艺逐步导入产品后，公司产品存储密度、单bit成本和性能持续优化。
- [玫瑰]公司同步加大研发和产业化投入，此前拟使用180亿元超募资金投向技术研发及产业化、存储器晶圆后道测试基地二期等项目，持续完善IDM布局。
- 我们看好公司先进工艺迭代、高端产品拓展与产能配套建设，国产DRAM成长空间持续打开，坚定看好，持续推荐！