📑 📰发生了什么？ 📅10 月 10 日，在上海举办的第四届集成电路与芯粒大会上，总裁曹堪宇公布下一代 DRAM 单元架构 4F² 的技术进展。 🎯公司预计在今
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📰发生了什么？ 📅10 月 10 日，在上海举办的第四届集成电路与芯粒大会上，总裁曹堪宇公布下一代 DRAM 单元架构 4F² 的技术进展。 🎯公司预计在今年年底推出搭载 4F² 架构，并且结合晶圆级混合键合技术的 DDR5 RDIMM 内存模组。 🔑该技术的核心是，晶体管沟道采用垂直结构，栅极将沟道完整包裹，能够改善栅极控制能力，缓解漏电效应与短沟道效应，同时缩小每个存储单元的平面占用面积。 💡在 1T1C 存储单元结构中，F 代表最小特征尺寸。从行业通用的 6F² 架构升级至更先进的 4F² 架构，。 🔧该技术将存储阵列与外围 CMOS 电路拆分到两块独立晶圆之上，再通过晶圆‑晶圆混合键合工艺完成集成。 📊不过综合多重现实约束，我们判断单颗晶圆实际单元数量的提升幅度会低于理论 50%，但高于一代技术迭代带来的约 30% 提升，我们测算实际增幅大约为 40%。主要四点原因： 📈把 CMOS 外围电路转移到另外一片晶圆，叠加 6F² 向 4F² 的架构迭代，存储单元晶圆上面的单元数量会提升约 150%； ⚙️但是该方案需要额外增加一片晶圆，还要建设专门用于 CMOS 外围电路的产线，会造成产能损耗。我们估算整体产能净缩减约 30%； 📉存储单元经过重新设计会带来良率下滑；两片晶圆键合之后，我们预估综合良率大约为 80%； 🔬先进光刻设备供给不足，限制微型化的推进能力。 ⚠️除此之外，。
🌍对存储行业格局的影响：技术差距依旧客观存在 🤔三星（005930，买入评级）、SK 海力士（000660，买入评级）已经做出明确战略选择，没有把 6F² 向 4F² 架构迭代作为优先路线，两家公司更偏向采用基于 EUV 极紫外光刻的工艺路线。我们认为 EUV 路线具备效率更高、成本更低、良率更好的优势。 🔧从传统 6F² 布局切换到 4F² 架构，需要对 DRAM 存储单元结构进行底层重新设计。 🧩4F² 架构当中晶体管改为垂直排布，以此缩小单元占用面积。该方案需要制备高深宽比柱状结构，还要完成高精度间隙填充，把当前光刻、刻蚀设备的性能推到极限。 📉长鑫存储在量产工艺节点上依旧存在落后，受到物理条件、技术难题制约，。 📋韩国厂商技术路线规划：1cnm（2025 年）→1dnm（2027 年）→4F² v1 版本（2028 年）→4F² v2 版本（2030 年）→3D DRAM（2032 年）。 📋按照初步量产时间推算，长鑫存储技术路线大概率为：G4 1znm（2024 年）→G4.5 1zn‑1anm（2025 年）→G5 1anm（2026 年）→G5 1anm 4F²（2027‑2028 年）→G6（2028‑2029 年）。 📌对比可以看到，。
🏭对中国产能扩张以及半导体设备行业的影响 ⚙️4F² 搭配混合键合的工艺流程，会提升单颗晶圆在多道工艺步骤的加工强度，而国内设备厂商正好在这些工艺环节实现了份额提升，涉及工艺包含下面四类： 🧪更多介电层、阻挡层，同时增加键合介电层加工需求，对应设备：PECVD 等离子增强化学气相沉积、ALD 原子层沉积设备； ⚒️更高深宽比的刻蚀加工； 🧼键合之前需要原子级别的平面化处理，对应 CMP 化学机械抛光设备； 🔌新增铜 / 钽 / 钴金属化加工工序。 📎与此同时，把外围 CMOS 电路和存储阵列拆分至两片不同晶圆，意味着一套产品生产需要由 1 片晶圆变为 2 片晶圆，需要新增对应的产线。 ✅在我们看来，最直接受益的两家国内设备公司： 📍拓荆科技（688072，买入评级）：PECVD 设备供应商，同时具备 Dione 300 晶圆‑晶圆混合键合设备，该设备正是存储阵列与 CMOS 电路解耦工艺所必需； 📍中微公司（688012，买入评级）：高深宽比刻蚀设备，国内已经实现 60:1 规格设备的规模化应用，90:1 规格产品即将推向市场；公司还通过收购杭州众硅（未上市企业）拓展 CMP 化学机械抛光设备产品线。
总体总结
主题正文
- 🎯公司预计在今年年底推出搭载 4F² 架构，并且结合晶圆级混合键合技术的 DDR5 RDIMM 内存模组。
- 🔑该技术的核心是，晶体管沟道采用垂直结构，栅极将沟道完整包裹，能够改善栅极控制能力，缓解漏电效应与短沟道效应，同时缩小每个存储单元的平面占用面积。
- 📊不过综合多重现实约束，我们判断单颗晶圆实际单元数量的提升幅度会低于理论 50%，但高于一代技术迭代带来的约 30% 提升，我们测算实际增幅大约为 40%。
- 🤔三星（005930，买入评级）、SK 海力士（000660，买入评级）已经做出明确战略选择，没有把 6F² 向 4F² 架构迭代作为优先路线，两家公司更偏向采用基于 EUV 极紫外光刻的工艺路线。
- 📋韩国厂商技术路线规划：1cnm（2025 年）→1dnm（2027 年）→4F² v1 版本（2028 年）→4F² v2 版本（2030 年）→3D DRAM（2032 年）。
- 📋按照初步量产时间推算，长鑫存储技术路线大概率为：G4 1znm（2024 年）→G4.5 1zn‑1anm（2025 年）→G5 1anm（2026 年）→G5 1anm 4F²（2027‑2028 年）→G6（2028‑2029 年）。
- ⚙️4F² 搭配混合键合的工艺流程，会提升单颗晶圆在多道工艺步骤的加工强度，而国内设备厂商正好在这些工艺环节实现了份额提升，涉及工艺包含下面四类：
- 📍拓荆科技（688072，买入评级）：PECVD 设备供应商，同时具备 Dione 300 晶圆‑晶圆混合键合设备，该设备正是存储阵列与 CMOS 电路解耦工艺所必需；