📌 📰媒体报道显示，中国存储芯片厂商长鑫存储计划在今年年底完成基于 4F² 架构的 DRAM（DDR5）芯片制造。 ✅如果该目标顺利落地，将让长鑫存储相比全球主
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📰媒体报道显示，中国存储芯片厂商长鑫存储计划在今年年底完成基于 4F² 架构的 DRAM（DDR5）芯片制造。 ✅如果该目标顺利落地，将让长鑫存储相比全球主流存储芯片厂商领先数年。 🔍当前包括 DDR4、DDR5 以及 HBM 在内的 DRAM 产品，均采用 6F² 架构，这项架构作为行业标准已经沿用十余年；单元面积计算方式为 2F3F=6F²，而新一代 4F² 架构单元面积为 2F2F。 📏因此 4F² 架构的芯片裸片面积相比 6F² 架构可以缩小 30%-40%。 🤔长鑫存储选择抢在三大 DRAM 巨头之前推进 4F² 技术，大概率是受限于无法获得 EUV 光刻设备，美国方面已经限制从欧洲阿斯麦进口该类设备。 📊三大 DRAM 巨头已经依托 EUV 设备，在 6F² 架构下将制程推进至十几纳米的中低节点。 📌过去十余年，这三家巨头也完成了 4F² 技术的研发，但，制约因素包括良率偏低、成本高昂以及客户认证难题。 ⚠️具体难点为：芯片裸片面积缩小后，数十亿晶体管与电容高度集成，会带来工作温度偏高、存储单元结构脆弱等问题。
总体总结
主题正文
- 📰媒体报道显示，中国存储芯片厂商长鑫存储计划在今年年底完成基于 4F² 架构的 DRAM（DDR5）芯片制造。
- 🔍当前包括 DDR4、DDR5 以及 HBM 在内的 DRAM 产品，均采用 6F² 架构，这项架构作为行业标准已经沿用十余年；
- 单元面积计算方式为 2F3F=6F²，而新一代 4F² 架构单元面积为 2F2F。
- 📏因此 4F² 架构的芯片裸片面积相比 6F² 架构可以缩小 30%-40%。
- 🤔长鑫存储选择抢在三大 DRAM 巨头之前推进 4F² 技术，大概率是受限于无法获得 EUV 光刻设备，美国方面已经限制从欧洲阿斯麦进口该类设备。
- 📊三大 DRAM 巨头已经依托 EUV 设备，在 6F² 架构下将制程推进至十几纳米的中低节点。
- 📌过去十余年，这三家巨头也完成了 4F² 技术的研发，但，制约因素包括良率偏低、成本高昂以及客户认证难题。
- ⚠️具体难点为：芯片裸片面积缩小后，数十亿晶体管与电容高度集成，会带来工作温度偏高、存储单元结构脆弱等问题。