📌 💡美光、西部数据、三星和 SK 海力士，在中国长鑫存储宣布其新型 4F² DRAM 架构取得进展之后，股价受到冲击。长鑫存储计划在 2026 年底前采用这项
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💡美光、西部数据、三星和 SK 海力士，在中国长鑫存储宣布其新型 4F² DRAM 架构取得进展之后，股价受到冲击。长鑫存储计划在 2026 年底前采用这项技术推出 DDR5 服务器内存。对于不熟悉这项技术的人来说，该技术旨在在相同空间内封装更多存储单元，有望提升芯片密度与制造效率。 🔍现在，我想澄清一点。长鑫存储绝对正在成为一个真正的竞争者，根据集邦咨询的数据，长鑫存储已经占据全球 DRAM 营收约 9.5%，高于上一季度的 7.6%，使其成为全球第四大 DRAM 制造商。这家公司还在积极扩张，在上海和合肥新建制造设施，目标月产能超过 60 万片晶圆，有可能将其制造产能翻倍。除此之外，据报道长鑫存储已经开始量产其 G5 DRAM 平台和 LPDDR6 内存，而它全新的 4F² 架构，有望让内存生产效率进一步提升。 🤔但以下是我认为市场预期已经远远超前基本面的原因。首先，宣布一种全新内存架构，和成功实现大规模量产，是两件完全不同的事情。长鑫存储仍然需要证明它可以实现具备竞争力的良率、定价、可靠性以及量产规模。其次，我们当前正面临巨大的内存供应短缺，尤其是超大规模云厂商持续加大 AI 基础设施投入。即便长鑫存储成功将产能翻倍，也并不自动意味着行业会进入供过于求的状态。预计未来几年内存需求将大幅增长，而且我们已经看到制造厂商与客户签订期限更长的供应协议。 📌第三，这一次公告主要聚焦传统 DDR5 服务器内存，。这是一项重要区分，因为 HBM 正在成为内存行业价值最高的板块之一，美光、三星、SK 海力士都从巨大的人工智能需求中受益。而西部数据主要生产 NAND 闪存，并不生产 DRAM。因此仅仅因为一项 DDR5 技术公告就专门卖出西部数据股票，看起来更加值得质疑。当然，这不代表长鑫存储最终不会对传统 DRAM 价格形成压力。来自中国的制造产能扩张绝对是投资者需要长期跟踪的变量，但我认为投资者混淆了长期潜在竞争威胁和行业基本面的即时变化。今天的公告不会凭空新增数百万颗内存芯片，不会消除当前的供应短缺，也不会改变支撑 AI 基础设施所需要的内存总量。我已经连续数月表达这个观点：未来十年我们所需要的内存规模，是极其庞大的。我看好内存板块，如果你想了解我如何布局能够受益于全球内存需求大幅增长的相关公司，可以查看下方我的投资组合。 📊长鑫存储：自 IPO 以来搅动行业格局 📌资本与增长 ✅IPO：7 月登陆上交所科创板，是中国迄今为止规模最大的芯片 IPO，融资规模 85 亿美元。 ✅市场份额快速提升：2026 年第二季度位列全球 DRAM 销售额第四名，份额环比从 7.6% 提升至 9.5%（集邦咨询）。 ✅DRAM 产能激进扩张：上海与合肥新建晶圆厂，目标产能翻倍至每月 60 万片以上晶圆；另有北京第二座晶圆厂处于规划阶段。 ✅潜在布局 NAND 业务：据报道计划在北京附近新建工厂，搭建 NAND 研发产线。 📌产品里程碑 ✅LPDDR6：自 9 月起进入量产，首发搭载于小米 18 Fold 机型。 ✅G5 DRAM 平台：进入量产，半间距 9.5nm，相比前代产品，掩膜图形数量减少 50% 以上。 ✅发布 4F² DRAM 架构：采用密度更高的垂直晶体管设计，面向服务器场景；其 DDR5 RDIMM 预计年底推出，报道称技术进度相比三星领先大约 2 年。 信息来源：日经新闻、路透社、集邦咨询及相关公司。 ⚡Liquid @liquidtrading 📌快讯：美光与西部数据开盘下跌，此前中国长鑫存储宣布全新 4F DRAM 内存单元架构取得进展。该架构旨在提升芯片密度与制造效率，并且计划在 2026 年底前推出采用这项技术的 DDR5 服务器内存。 👤埃隆・马斯克 @elonmusk 📌当中国搞清楚如何制造某一类产品时，他们的规模化能力往往超过世界其余地区的总和。锂电池和太阳能领域就是例子。 📌SpaceX 是一个少见的反例，它送入轨道的总质量大约是全球其余地区总和的一个数量级，但中国目前承担了除 SpaceX 之外大部分入轨发射任务。SpaceX 属于行业里的特例。 📌也许内存行业会不一样，但就在大约 3 年前，内存还属于低毛利大宗商品。LP5 与 LP6 按照统一标准设计，而中国似乎正在快速攻克相关技术。 📌更新一代的 HBM 架构，以及诸如在逻辑层下方增加 SRAM 层、在逻辑芯片上方 3D 堆叠内存，同时兼顾逻辑芯片散热这类方案，攻克难度会更高。
总体总结
主题正文
- 长鑫存储绝对正在成为一个真正的竞争者，根据集邦咨询的数据，长鑫存储已经占据全球 DRAM 营收约 9.5%，高于上一季度的 7.6%，使其成为全球第四大 DRAM 制造商。
- 除此之外，据报道长鑫存储已经开始量产其 G5 DRAM 平台和 LPDDR6 内存，而它全新的 4F² 架构，有望让内存生产效率进一步提升。
- 预计未来几年内存需求将大幅增长，而且我们已经看到制造厂商与客户签订期限更长的供应协议。
- 来自中国的制造产能扩张绝对是投资者需要长期跟踪的变量，但我认为投资者混淆了长期潜在竞争威胁和行业基本面的即时变化。
- 我看好内存板块，如果你想了解我如何布局能够受益于全球内存需求大幅增长的相关公司，可以查看下方我的投资组合。
- ✅市场份额快速提升：2026 年第二季度位列全球 DRAM 销售额第四名，份额环比从 7.6% 提升至 9.5%（集邦咨询）。
- 其 DDR5 RDIMM 预计年底推出，报道称技术进度相比三星领先大约 2 年。
- 📌更新一代的 HBM 架构，以及诸如在逻辑层下方增加 SRAM 层、在逻辑芯片上方 3D 堆叠内存，同时兼顾逻辑芯片散热这类方案，攻克难度会更高。