- 高盛基于美光(MU) 4QFY26业绩，对韩国存储厂商三星电子(SEC)和SK海力士(Hynix)给予积极展望。核心观点包括：(1) 美光预计2027和20
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- 高盛基于美光(MU) 4QFY26业绩，对韩国存储厂商三星电子(SEC)和SK海力士(Hynix)给予积极展望。核心观点包括：(1) 美光预计2027和2028年存储供需将远紧于2026年，DRAM行业位元出货量2026年增长20%中段，2027-2028年增速放缓至20%低段，但因HBM占比提升及制程升级带来的产能效率减弱，供应仍紧张；NAND方面，2026年位元出货量上修至20%低段，2027-2028年预计20%中段增长。(2) 美光DRAM ASP环比增长符合预期，但NAND ASP增长高于对三星/海力士的3Q26预期。(3) 新增10份SCA（供应合同协议），客户要求更长合约期限和更大供应量。(4) HBM价格预计2027年大幅上涨，与高盛对三星HBM价格大幅增长的预期一致。(5) 美光计划增加资本开支以应对2028年后的需求。维持对三星电子和SK海力士的买入评级。
高盛于2026年10月1日发布韩国存储行业研报，基于美光（Micron）4QFY26（2026年6-8月）业绩报告，对韩国存储双雄——三星电子（SEC）和SK海力士（Hynix）——进行了系统性解读与展望。报告核心结论是：，并重申对三星电子和SK海力士的。 报告五大核心要点： ：美光首次给出2028年供需预测，认为2027-2028年供需紧张程度将远超2026年 ：DRAM ASP增长符合预期，NAND ASP增长好于预期 ：新增10份SCA，客户要求更长合约期、更大供应量 ：预计2027年HBM价格大幅上涨 ：计划进一步增加capex，为2028年后的需求做准备
一、DRAM供需：2027-2028年持续紧张 美光在业绩会上对DRAM行业位元出货量给出了明确指引： 年份DRAM行业位元出货量增速 CY2026 20%中段（mid-20%） CY2027 20%低段（low-20%） CY2028 20%低段（low-20%） ：尽管位元出货增速看似在放缓（从20%中段降至20%低段），但行业仍处于**供应受限（supply constrained）**状态。原因有两点： ：随着DRAM制程节点逐步逼近物理极限，每代制程的位元密度提升幅度收窄 ：每一代HBM相较传统DRAM需要消耗更多的晶圆产能（trade ratio提升），导致可用于标准DRAM的产能被HBM"挤占" 美光特别强调：即便各厂商新增DRAM洁净室空间（cleanroom space）计划，，因为需求侧持续超出预期，包括客户新的追加需求（upside requests）。 二、NAND供需：供应同样紧张 美光将2026年NAND行业位元出货量增速，并预计： CY2027：20%中段（mid-20%）增长 CY2028：20%中段（mid-20%）增长 NAND也被认为在2027-2028年保持供应紧张状态。 三、价格表现：NAND超预期 美光4QFY26业绩显示： ：位元出货量环比MSD%（中位数十个百分点）增长，ASP环比增长（十几%高位）， ：ASP增长 这意味着三星和海力士的NAND业务在3Q26可能存在。 四、SCA（供应合同协议）密集签订 美光披露： 新签SCA（Supply Contract Agreements） 客户主动要求和 反映出客户对供应安全的强烈担忧，愿意通过长协锁定产能 这是供不应求的，也表明存储行业的议价权已明显向供应商倾斜。 五、HBM：2027年价格大涨 美光明确表示，与高盛此前对三星电子HBM价格大幅增长的预期一致。这一趋势的驱动因素： AI算力需求持续爆发 HBM产能扩张速度跟不上需求增速 HBM3E向HBM4代际过渡带来溢价 六、资本开支：着眼2028之后 美光计划，以应对2028年之后的长期需求增长。这意味着行业资本开支周期尚未见顶，对设备厂商也形成利好。
高盛重申对以下两家公司的： 三星电子（SEC） 评级： 列入高盛亚太确信买入名单（APAC Conviction List, APAC CL） 核心逻辑：受益于HBM价格大涨预期；NAND ASP超预期可能带来盈利上修 SK海力士（Hynix） 评级： 核心逻辑：作为HBM领先供应商（英伟达主要供应商之一），充分受益于AI驱动的HBM需求增长 投资逻辑总结 ：2027-2028年存储供需紧张程度超过2026年，行业进入 ：HBM和NAND价格上行将带来盈利弹性 ：SCA的长协化趋势为收入和利润提供更高确定性 ：AI算力需求是存储行业最强劲的需求引擎，特别是HBM
：若AI服务器/数据中心建设放缓，HBM和DRAM需求将受到冲击，可能导致供需失衡逻辑被打破 ：若三星、海力士、美光等厂商资本开支过于激进，新增产能在2027-2028年集中释放，可能扭转供需格局 ：HBM4等新一代产品若出现良率问题或客户转向其他供应商，可能影响定价权 ：全球经济衰退或企业IT支出放缓将削弱存储需求 ：韩国存储厂商面临中美科技博弈的不确定性，特别是对华出口管制可能影响市场布局 ：韩元/美元汇率波动将影响以美元计价的存储产品收入和利润 ：三星和海力士股价年初至今已有较大涨幅，存在预期兑现后的回调风险
总体总结
主题正文 要点： ：美光首次给出2028年供需预测，认为2027-2028年供需紧张程度将远超2026年 ：DRAM ASP增长符合预期，NAND ASP增长好于预期 ：新增10份SCA，客户要求更长合约期、更大供应量 ：预计2027年HBM价格大幅上涨 ：计划进一步增加capex，为2028年后的需求做准备
一、DRAM供需：2027-2028年持续紧张 美光在业绩会上对DRAM行业位元出货量给出了明确指引： 年份DRAM行业位元出货量增速 CY2026 20%中段（mid-20%） CY2027 20%低段（low-20%） CY2028 20%低段（low-20%） ：尽管位元出货增速看似在放缓（从20%中段降至20%低段），但行业仍处于**供应受限（supply constrained）**状态。原因有两点： ：随着DRAM制程节点逐步逼近物理极限，每代制程的位元密度提升幅度收窄 ：每一代HBM相较传统DRAM需要消耗更多的晶圆产能（trade ratio提升），导致可用于标准DRAM的产能被HBM"挤占" 美光特别强调：即便各厂商新增DRAM洁净室空间（cleanroom space）计划，，因为需求侧持续超出预期，包括客户新的追加需求（upside requests）。 二、NAND供需：供应同样紧张 美光将2026年NAND行业位元出货量增速，并预计： CY2027：20%中段（mid-20%）增长 CY2028：20%中段（mid-20%）增长 NAND也被认为在2027-2028年保持供应紧张状态。 三、价格表现：NAND超预期 美光4QFY26业绩显示： ：位元出货量环比MSD%（中位数十个百分点）增长，ASP环比增长（十几%高位）， ：ASP增长 这意味着三星和海力士的NAND业务在3Q26可能存在。 四、SCA（供应合同协议）密集签订 美光披露： 新签SCA（Supply Contract Agreements） 客户主动要求和 反映出客户对供应安全的强烈担忧，愿意通过长协锁定产能 这是供不应求的，也表明存储行业的议价权已明显向供应商倾斜。 五、HBM：2027年价格大涨 美光明确表示，与高盛此前对三星电子HBM价格大幅增长的预期一致。这一趋势的驱动因素： AI算力需求持续爆发 HBM产能扩张速度跟不上需求增速 HBM3E向HBM4代际过渡带来溢价 六、资本开支：着眼2028之后 美光计划，以应对2028年之后的长期需求增长。这意味着行业资本开支周期尚未见顶，对设备厂商也形成利好。
高盛重申对以下两家公司的： 三星电子（SEC） 评级： 列入高盛亚太确信买入名单（APAC Conviction List, APAC CL） 核心逻辑：受益于HBM价格大涨预期；NAND ASP超预期可能带来盈利上修 SK海力士（Hynix） 评级： 核心逻辑：作为HBM领先供应商（英伟达主要供应商之一），充分受益于AI驱动的HBM需求增长 投资逻辑总结 ：2027-2028年存储供需紧张程度超过2026年，行业进入 ：HBM和NAND价格上行将带来盈利弹性 ：SCA的长协化趋势为收入和利润提供更高确定性 ：AI算力需求是存储行业最强劲的需求引擎，特别是HBM
：若AI服务器/数据中心建设放缓，HBM和DRAM需求将受到冲击，可能导致供需失衡逻辑被打破 ：若三星、海力士、美光等厂商资本开支过于激进，新增产能在2027-2028年集中释放，可能扭转供需格局 ：HBM4等新一代产品若出现良率问题或客户转向其他供应商，可能影响定价权 ：全球经济衰退或企业IT支出放缓将削弱存储需求 ：韩国存储厂商面临中美科技博弈的不确定性，特别是对华出口管制可能影响市场布局 ：韩元/美元汇率波动将影响以美元计价的存储产品收入和利润 ：三星和海力士股价年初至今已有较大涨幅，存在预期兑现后的回调风险