- Citi认为近期HBM降规格（de-spec）并非需求疲软的信号，而是供应商在供应紧张下最大化加速器出货的务实手段。在scale-out AI架构、持续学习
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- Citi认为近期HBM降规格（de-spec）并非需求疲软的信号，而是供应商在供应紧张下最大化加速器出货的务实手段。在scale-out AI架构、持续学习及ASIC/GPU加速采用的驱动下，Citi预计2027E HBM需求将同比+62%至752亿Gb，2028E再+69%至1270亿Gb，年增速约为市场共识（~30%）的两倍。供给端虽持续扩产（2027E +64%至593亿Gb，2028E +36%至809亿Gb），但仍严重滞后于需求，S/D缺口将从2027E的-21%恶化至2028E的-36%。受此推动，HBM4 12hi价格预计从2026E约2美元/Gb飙升至2027E的4-5美元/Gb，同比涨幅达100-150%；HBM 8hi较12hi溢价20-30%，为存储厂商带来显著的ASP与毛利率上行空间。三大供应商三星/SK海力士/美光的HBM产能将分别增长50%/67%/52%至240K/270K/140K WPM。
Citi发布了一份关于全球HBM（高带宽内存）市场的深度研究报告，核心结论是：**HBM市场将在2027E–2028E面临严重的供应不足，S/D缺口将从-21%进一步恶化至-36%。**报告否定了市场对近期HBM降规格（de-spec）行为所暗示的需求疲软担忧，认为这只是供应商在供应紧张时为最大化加速器出货而采取的战术性手段。 报告的关键预测数据如下： 指标2026E2027E2028E HBM需求（亿Gb） 464.1 751.6 1269.9 HBM供给（亿Gb） 361.4 593.5 809.4 需求同比增速 —
供给同比增速 — +64% +36%
-22%
📌
一、HBM需求侧：远超市场预期的强劲增长 Citi认为HBM需求将由三大结构性力量驱动： ：AI训练与推理从单芯片向大规模集群演进，对内存带宽需求呈指数级增长。 ：模型需要不断更新权重，催生持续的HBM需求，而非一次性建设需求。 ：除Nvidia下一代GPU外， 部署速度显著加快。 （单位：百万颗，1Gb等效）： 客户20252026E2027E2028E Nvidia 8,400 22,003 32,503 40,939 Broadcom 3,840 9,002 13,001
Google 2,765 4,702 70,300（修正） 14,003 AMD 2,160 4,200 7,000 8,200 AWS 1,512 2,501 2,802 6,391 值得注意的是，，接近Nvidia水平，反映自研ASIC生态的快速崛起。 二、HBM供给侧：持续扩产但仍难追赶需求 三大存储巨头的产能扩张计划： 供应商2026E产能（K WPM）2027E产能（K WPM）增幅 Samsung（三星） 155 240
SK Hynix（SK海力士） 150 270
Micron（美光） 95 140
— TSV（硅通孔）总产能将从2026E末的420K wafer/月增长至2027E末的700K、2028E末的870K。但即便如此，2028E供给809亿Gb仍仅能满足约64%的需求。 三、HBM产品结构演进 从产品代际看，Citi预计HBM市场将快速从HBM3E向HBM4/HBM4e迁移： 将成为2027E主力产品（占比43%），到2028E仍保持37%份额。 在2028E将占27%，反映更高的堆叠层数趋势。 HBM5 16hi将在2028E首次出货（占比2%）。 HBM在整个DRAM需求中的占比也将从2025年的6.9%快速提升至2028E的，意味着内存市场结构性向HBM倾斜。 四、定价展望：HBM4价格大幅飙升 Citi预计，同比涨幅达。此外，，主要因8hi产能更稀缺且良率挑战更大。
虽然本报告未明确给出具体公司目标价，但报告的核心结论对存储产业链具有强烈的正面含义： ：HBM市占率约35-47%，是市场领导者，HBM4定价飙升直接受益。 ：2027E产能扩张幅度最大（+50%），有望缩小与SK Hynix的份额差距。 ：在HBM3E及HBM4上加速追赶，2028E份额有望提升至25%。 ：TSV设备供应商、HBM封装/测试服务商、先进封装材料供应商均将受益于产能扩张周期。 报告暗示存储厂商将迎来，重申了对HBM供应链的积极看法。
：若云厂商AI资本开支放缓或生成式AI ROI不及预期，可能导致ASIC/GPU订单削减，HBM需求增速下修。 ：若出现颠覆性内存架构（如Compute Express Link内存池化方案）替代部分HBM功能，需求结构可能生变。 ：若CXMT等中国厂商或其他新进入者产能爬坡快于预期，可能缓解S/D紧张格局。 ：若客户大规模选择低规格HBM以节省成本，可能影响平均ASP和高端产品需求。 ：美国对华先进存储芯片出口管制若升级，可能影响三星/SK海力士的产能部署与客户结构。 ：12hi/16hi高堆叠层数良率若不及预期，可能延迟产品上市或影响产能利用率。 💡 ：报告强烈看好2027E-2028E HBM供需失衡带来的价格弹性，对存储龙头股构成结构性利好，建议关注SK海力士、三星、美光以及HBM产业链上游设备与材料供应商。
总体总结
主题正文
- 在scale-out AI架构、持续学习及ASIC/GPU加速采用的驱动下，Citi预计2027E HBM需求将同比+62%至752亿Gb，2028E再+69%至1270亿Gb，年增速约为市场共识（~30%）的两倍。
- 供给端虽持续扩产（2027E +64%至593亿Gb，2028E +36%至809亿Gb），但仍严重滞后于需求，S/D缺口将从2027E的-21%恶化至2028E的-36%。
- 受此推动，HBM4 12hi价格预计从2026E约2美元/Gb飙升至2027E的4-5美元/Gb，同比涨幅达100-150%；
- 三大供应商三星/SK海力士/美光的HBM产能将分别增长50%/67%/52%至240K/270K/140K WPM。
- Citi发布了一份关于全球HBM（高带宽内存）市场的深度研究报告，核心结论是：**HBM市场将在2027E–2028E面临严重的供应不足，S/D缺口将从-21%进一步恶化至-36%。
- TSV（硅通孔）总产能将从2026E末的420K wafer/月增长至2027E末的700K、2028E末的870K。
- 虽然本报告未明确给出具体公司目标价，但报告的核心结论对存储产业链具有强烈的正面含义：
- 💡 ：报告强烈看好2027E-2028E HBM供需失衡带来的价格弹性，对存储龙头股构成结构性利好，建议关注SK海力士、三星、美光以及HBM产业链上游设备与材料供应商。