- 摩根大通预计美光(MU)F4Q26业绩将超预期，营收/毛利率/EPS有望高于市场预期$51.4B/86.2%/$31.73，DRAM ASP环比涨幅预计20

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• 摩根大通预计美光(MU)F4Q26业绩将超预期，营收/毛利率/EPS有望高于市场预期$51.4B/86.2%/$31.73，DRAM ASP环比涨幅预计20%+，NAND ASP环比涨幅约20%。HBM供需缺口将持续到CY28（CY26E/CY27E/CY28E分别为-20%/-19%/-16%），管理层将CY27描述为比CY26'更加紧张'。SCA覆盖率可能从上次披露的约20%提升至35%+，甚至50%+。12/9/26为CHIPS Act协议两周年，届时管理层承诺将100%多余现金返还股东，资本回报框架将成为重大价值释放催化剂。重申增持评级，Dec-2027目标价$1,540。

摩根大通于2026年9月28日发布美光科技(MU)F4Q26财报预览，重申（较2026年9月25日收盘价$1,082.28有约42%上涨空间）。报告认为本次财报发布具有多重超预期催化剂： ：营收/毛利率/EPS有望高于市场一致预期$51.4B/86.2%/$31.73 ：从上次披露的~20% DRAM/~33% NAND提升至35%+，甚至可能已达50%+ ：12/9/26为CHIPS Act协议两周年，管理层承诺100%返还多余现金 ：HBM缺口将延续至CY28，定价动能持续

一、Aug-Qtr（F4Q26）财报预览：多重超预期催化 摩根大通认为美光本次财报具备强劲的超预期基础： ： 市场一致预期：营收$51.4B、毛利率86.2%、EPS $31.73 摩根大通预计三项关键指标均将超出预期 管理层此前暗示价格涨幅将"显著放缓（meaningful moderation）"，但摩根大通认为这更多是——为维护客户关系并巩固长期SCA承诺，而非需求面疲软的信号 ：

，高容量eSSD供应紧张持续 销量增长仍受限于供应端产能扩张能力 ： 公司指引约86%，市场预期86.1% 上行驱动因素：(1) 价格放缓幅度低于此前暗示；(2) HBM4 12-high产品组合持续优化；(3) 运营杠杆效应（opex指引$1.65B，环比+8%，而营收环比+20%+） ： 数据中心营收有望继续刷新May-Q的~$100B+年化运行率纪录 CMBU和CDBU两大业务部门预计均将扩张 DC SSD营收预计再次突破$5B（May-Q已环比翻倍） 二、Nov-Qtr（F1Q27）指引：料将再次上调目标 摩根大通预计Nov-Qtr指引将超出市场一致预期$56.3B/86.5%/$35.71，主要驱动因素：

自上次财报以来，客户总需求信号"进一步增加" 管理层将CY27描述为比CY26""（vs. 此前"beyond CY27"的表述——显著升级）

美光将CY27 HBM TAM上调至"轻松突破$100B"（此前预期CY28才能达到） 摩根大通全球团队的HBM模型更新显示：CY27E/28E TAM分别为$160B/$282B，混合涨幅假设54%/25%

May-Q已出货>$1B 放量速度是HBM3E 12-high的 管理层目标HBM市占率与整体DRAM市占率一致（约23%）

新签SCA开始在损益表体现 提供增量定价/销量可见度 （经despec充分调整后）： 年份HBM供需缺口 CY26E -20% CY27E -19% CY28E -16% CY28E累计缺口 23周 摩根大通认为这一供应紧张格局支持定价的，并预计Nov-Qtr毛利率将维持**mid-80%+**水平。 三、SCA覆盖：35%+基准情形，50%+可能已实现 ： 16个SCA 覆盖约20% DRAM产量、约33% NAND产量 $100B RPO（剩余订单履约义务），其中14个采用底价定价 $22B现金及类现金承诺（含$18B现金存款，F4Q单季预计$10B入账） ： 管理层表示"自上次财报以来，我们已签署更多SCA" 摩根大通：SCA覆盖率已达 ：可能已达 ：在底价定价下，毛利率将"远高于任何历史周期的峰值毛利率"（约62%），有效建立了，这是美光商业模式的重要质变。 四、资本回报框架：12/9/26重大催化剂 ： 2026年12月9日为美光CHIPS Act确定性协议签订 该日期后，管理层承诺将（以回购为主要工具） ： 资本回报项目的时点、节奏、初始规模 这将是，但尚未被市场充分反映

： ：增持(Overweight) ：$1,540（Dec-2027） ：$1,082.28（2026年9月25日） ：约42% ： 短期业绩有持续超预期空间（定价动能+SCA贡献+HBM4放量） 中期盈利能力的可持续性被低估（SCA框架提供的定价/销量可见度） 12/9/26后资本回报框架将释放显著价值 HBM结构性供应紧张格局将延续至CY28

：若DRAM/NAND价格涨幅低于预期，毛利率与营收将承压 ：若HBM4放量速度低于预期，或竞争对手在HBM4 12-high上加速追赶 ：若SCA覆盖未达35%+基准情形或50%+乐观情形 ：尽管管理层表态乐观，但AI/HPC需求若出现意外放缓将影响定价动能 ：12/9/26后的回购规模与节奏若不及预期 ：HBM despec（去规格化）进展若超预期，可能影响定价与供需平衡 ：包括出口管制、客户集中度（中国/美国AI云厂商）、半导体周期波动等

总体总结

主题正文

1. • 摩根大通预计美光(MU)F4Q26业绩将超预期，营收/毛利率/EPS有望高于市场预期$51.4B/86.2%/$31.73，DRAM ASP环比涨幅预计20%+，NAND ASP环比涨幅约20%。
2. HBM供需缺口将持续到CY28（CY26E/CY27E/CY28E分别为-20%/-19%/-16%），管理层将CY27描述为比CY26'更加紧张'。
3. 12/9/26为CHIPS Act协议两周年，届时管理层承诺将100%多余现金返还股东，资本回报框架将成为重大价值释放催化剂。
4. 摩根大通于2026年9月28日发布美光科技(MU)F4Q26财报预览，重申（较2026年9月25日收盘价$1,082.28有约42%上涨空间）。
5. 管理层此前暗示价格涨幅将"显著放缓（meaningful moderation）"，但摩根大通认为这更多是——为维护客户关系并巩固长期SCA承诺，而非需求面疲软的信号
6. 摩根大通预计Nov-Qtr指引将超出市场一致预期$56.3B/86.5%/$35.71，主要驱动因素：
7. 摩根大通认为这一供应紧张格局支持定价的，并预计Nov-Qtr毛利率将维持**mid-80%+**水平。
8. $22B现金及类现金承诺（含$18B现金存款，F4Q单季预计$10B入账）