- 高盛维持SK海力士买入评级。公司对近期价格增长及2027年HBM价格上行持积极态度，受供应紧张、高端HBM占比提升及2Q定价低基数支撑。由于洁净室空间有限，
- 序号：071
- 星球链接：打开网页
- 附件：图片 0，音频 0，文档 0
- 音频文件：无音频
图片
无图片
正文
- 高盛维持SK海力士买入评级。公司对近期价格增长及2027年HBM价格上行持积极态度，受供应紧张、高端HBM占比提升及2Q定价低基数支撑。由于洁净室空间有限，公司将聚焦技术迁移，龙仁工厂计划2027年2月开业但年底才能投产；DRAM从1a nm向1c nm迁移，NAND从176L向321L迁移并预计年底实现位元交叉。公司重申对长期协议(LTA)的积极看法，并计划进一步更新股东回报政策。短期盈利可能受外汇波动影响。
高盛（Goldman Sachs）于2026年9月22日主持SK海力士（000660.KS）的虚拟投资者会议，维持。核心要点涵盖五大方面： ：近期季度环比价格增长将延续至2026年底，HBM ASP与利润率有望在2026年下半年（HBM4占比提升）至2027年持续走高； ：现有产能接近满产，M15X增量产能主要投向HBM，龙仁新厂2027年2月开业但年底才能量产； ：DRAM从1a nm向1c nm迁移，NAND从176L向321L迁移，预计2026年底实现位元交叉（bit crossover）； ：公司重申对LTA积极态度，认为至少50%的覆盖率对当前业务结构是合理水平； ：计划推出新一轮股东回报更新。
一、定价趋势：短期与中长期双重乐观 ：季度环比（qoq）价格增长预计持续，受三重因素驱动： 供应持续紧张 高端HBM产品占比提升 2Q26定价低于预期带来的低基数效应 但增速可能合理放缓 ：2H26相比1H26，HBM的ASP和利润率均有望提升，主因在年末营收中占比放大。 ：HBM ASP将进一步上升，驱动力来自： 传统DRAM与HBM市场双线供应紧张 高端/溢价产品占比提升 二、产能策略：技术迁移重于产能扩张 由于，SK海力士无法大规模新增晶圆产能，因此战略重心转向： 工厂用途进展 现有Fab DRAM/HBM 接近满产 M15X 主要用于HBM 增量产能有限 龙仁Fab 新厂 2027年2月开业，2027年底开始量产 M17 / Solidigm NAND 176L向321L迁移 三、技术节点迁移路线图 ：国内DRAM产线从 制程升级 ：将国内大部分176L NAND产线转换为 ，预计（即321L产出位元量超过176L） 四、长期供货协议（LTA） 公司未设定明确的LTA覆盖率目标 鉴于，管理层认为是合理水平 公司对LTA战略价值持，反映出客户锁定与定价稳定性的重要性 五、股东回报 管理层表示正规划，这通常意味着可能增加股息或回购规模，对投资者构成正面催化。 六、潜在负面影响 可能在短期内对盈利造成一定影响，这是需要关注的边际风险。
（重申）
本次报告基于虚拟投资者会议，并未直接调整目标价，但通过重申买入评级，传递出高盛对SK海力士的信心，特别是在HBM4周期、DRAM/NAND供需紧张以及技术迁移带来的成本优化方面。
：AI需求若出现放缓，HBM ASP上行逻辑将受冲击； ：2027年底量产时间表若延后，将影响产能释放节奏； ：1c nm DRAM和321L NAND良率提升若不达预期，可能影响成本与产出； ：韩元汇率走强可能侵蚀以美元计价的出口收入与利润； ：三星、镁光等竞争对手在HBM4领域的追赶节奏； ：韩国本土产能的地缘不确定性及出口管制影响。
总体总结
主题正文
- 公司对近期价格增长及2027年HBM价格上行持积极态度，受供应紧张、高端HBM占比提升及2Q定价低基数支撑。
- DRAM从1a nm向1c nm迁移，NAND从176L向321L迁移并预计年底实现位元交叉。
- 高盛（Goldman Sachs）于2026年9月22日主持SK海力士（000660.KS）的虚拟投资者会议，维持。
- ：近期季度环比价格增长将延续至2026年底，HBM ASP与利润率有望在2026年下半年（HBM4占比提升）至2027年持续走高；
- ：DRAM从1a nm向1c nm迁移，NAND从176L向321L迁移，预计2026年底实现位元交叉（bit crossover）；
- ：季度环比（qoq）价格增长预计持续，受三重因素驱动：
- 可能在短期内对盈利造成一定影响，这是需要关注的边际风险。
- 本次报告基于虚拟投资者会议，并未直接调整目标价，但通过重申买入评级，传递出高盛对SK海力士的信心，特别是在HBM4周期、DRAM/NAND供需紧张以及技术迁移带来的成本优化方面。