[庆祝]长鑫科技G5平台正式量产，先进制程突破加速 9月20日，长鑫存储宣布第五代DRAM技术平台G5实现量产，并同步推出基于G5平台的24Gb LPDDR5X

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[庆祝]长鑫科技G5平台正式量产，先进制程突破加速

9月20日，长鑫存储宣布第五代DRAM技术平台G5实现量产，并同步推出基于G5平台的24Gb LPDDR5X产品。G5平台有源区半间距缩小至11.95nm，并导入HKMG、45:1高深宽比电容等先进工艺，制程能力进一步向全球领先水平靠拢；得益于制程微缩，按8Gb颗粒折算的单片晶圆裸片产出较G4提升至少50%，有望显著改善单位成本及盈利能力。基于G5的24Gb LPDDR5X已实现规模量产，容量较上一代同类型产品提升50%，进一步切入中高端移动存储市场。

我们认为，G5量产标志着公司先进制程迭代取得重要突破，后续随新平台良率爬坡、产能释放及LPDDR5X等高端产品放量，公司产品结构与成本竞争力有望持续提升，我们看好公司成长势头！

总体总结

主题正文

1. [庆祝]长鑫科技G5平台正式量产，先进制程突破加速
2. 9月20日，长鑫存储宣布第五代DRAM技术平台G5实现量产，并同步推出基于G5平台的24Gb LPDDR5X产品。
3. G5平台有源区半间距缩小至11.95nm，并导入HKMG、45:1高深宽比电容等先进工艺，制程能力进一步向全球领先水平靠拢；
4. 得益于制程微缩，按8Gb颗粒折算的单片晶圆裸片产出较G4提升至少50%，有望显著改善单位成本及盈利能力。
5. 基于G5的24Gb LPDDR5X已实现规模量产，容量较上一代同类型产品提升50%，进一步切入中高端移动存储市场。
6. 我们认为，G5量产标志着公司先进制程迭代取得重要突破，后续随新平台良率爬坡、产能释放及LPDDR5X等高端产品放量，公司产品结构与成本竞争力有望持续提升，我们看好公司成长势头！