- 中国先进封装是AI驱动的长期增长故事,但面临中等程度的产能过剩风险。建议超配设备供应商(ACM Research、ASMPT),因其受益于产能扩张周期本身;

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摩根士丹利于2026年9月15日发布大中华区科技半导体行业深度报告,聚焦中国先进封装赛道。报告核心观点可概括为"看好长期AI驱动增长、警惕中期产能过剩、优选设备商与份额提升者"三条主线: :中国先进封装TAM预计2029年达到约1000亿元人民币,2025-29年CAGR约13%,其中Chiplet/2.5D细分赛道CAGR高达40%,主要由AI加速器对算力密度、内存带宽和异构集成需求驱动。 :中国2.5D年产能将从2025年12万片激增至2027年43.6万片(占全球约16%),但受限于先进制程良率与HBM供应,有效需求仅约27.7万片,2027年行业利用率仅约63%,可能压制定价与利润率。 :产能扩张周期本身即创造设备需求,而OSAT盈利取决于产能是否能被填满。MS偏好ACM Research(电镀/清洗)和ASMPT(TCB/混合键合)等设备供应商。 :长电科技作为份额提升者被上调至超配(PT 90.2元),而盛合晶微虽技术领先但估值已透支,被首次覆盖给予中性评级(PT 118.4元)。

一、行业供需格局:2.5D产能即将"撞车" 报告自下而上分析显示,中国2.5D封装年产能将从2023年的不足10万片晶圆增长至2027年43.6万片,年化增速接近40%。主要参与者的扩产计划包括: :当前约77%市场份额(2025年),但份额到2027年可能下降至34% :包括江阴JME和上海临港新工厂,份额从5%提升至12% :合计份额约25%-30% : AI GPU出货量预计从2025年110万台增至2027年490万台 按85%良率换算,2027年封装需求约27.7万片晶圆 本土HBM产能仅能支持75-100万颗GPU,其余仍依赖海外HBM供应,构成关键瓶颈 :CoWoS-S-like(硅中介层)产能向CoWoS-L-like(RDL+局部硅互连)转移过程中,S型产能可能率先过剩;同时,3D集成技术(多颗加速器die垂直堆叠)可能减少单颗GPU所需的2.5D封装面积。 二、三大核心争论 —— MS认为风险中等偏高,产能扩张速度快于有效需求,受组件供应和制程良率约束。 —— 设备商更受益。无论OSAT产能最终盈利如何,初始产能建设必须投入设备(键合、光刻、沉积、电镀、检测等)。从2.5D/3D迁移过程中,封装环节的设备强度(equipment intensity per unit)将持续提升。 —— MS态度谨慎: :华为麒麟9050 Pro采用LogicFolding技术是重要里程碑,但成本高、复合良率敏感,未来2-3年中国3DIC市场规模仅数千万美元级别 :长鑫存储(CXMT)2027年可生产300-400万颗HBM3E堆栈,但封装价值大部分被存储生态系统内部消化(如芯鼎天鹰等关联方),独立OSAT机会有限 :真正大规模部署预计在2027-2028年,对中国OSAT未来1-2年盈利贡献有限 四、重点公司点评 长电科技(JCET,600584.SS):上调至超配 : 2.5D业务从低基数快速放量,1H26收入达2.12亿元,管理层预计2027年盈利转正 上海临港78亿元高端先进封装新厂提供第二增长曲线 业务多元化显著:1H26计算业务同比增长40.4%,收入占比从22%升至30%(首次成为最大终端市场);汽车业务同比增长25% 国产份额提升是结构性的(mix upgrade驱动),而非价格战驱动:2025年中国区收入同比+22%(高于通富+15%、华天+18%),同时国内毛利率提升6.6个百分点至20.4% :2026/27/28年EPS分别上调2%/3%/12%至1.47/2.05/2.67元 :剩余收益(RI)模型,权益成本8.6%,中期增长率19.0%(原13.5%),永续增长率4.0% :90.2元(牛市147.7元,熊市60.6元),较当前价66.3元有约35%上行空间 盛合晶微(SJ Semi,688820.SS):首次覆盖给予中性 : 技术领先地位:2025年2.5D封装份额77%,12英寸凸块业务份额第一 2025年毛利率31%,远高于长电、通富、华天(均在中低双位数) 3DIC商业化领先:SmartPoser®-3DIC-BP平台已量产,SmartPoser®-3DIC-HB混合键合推进中 上海临港100亿元3DIC项目2026年6月开工 : 估值已透支:2026/27年P/S分别为30x/23x,远高于A股OSAT同行(~3x)和设备同行(~11x) 客户集中度极高:1H25华为占74%收入,且华为自建封装能力(如渠梁、瑞芯)可能逐步内化 美国实体清单风险 市场份额到2027年可能从77%大幅下滑至34% :2026/27/28年EPS分别为0.59/0.87/1.19元 :118.4元(牛市200元,熊市80元),较当前价126.8元有约-7%下行空间 :RI模型,权益成本8.0%,中期增长率26.0%,永续增长率5.0% 设备供应商组合 :电镀(ECP)、清洗、湿法工艺直接受益;Q2 2026先进封装收入同比增长153%;ECP累计出货2000腔体;首获510×515mm面板级电镀量产订单 :TCB、高精度倒装、混合键合领先;2025年TCB收入增长146%;2026年7月获超过50台chip-to-substrate TCB设备批量订单 :全球OSAT龙头受益于CoWoS类产能扩张

公司代码评级当前价目标价上行空间 长电科技 600584.SS 超配(上调) Rmb66.3 Rmb90.2 +35% 盛合晶微 688820.SS 中性(首次) Rmb126.8 Rmb118.4 -7% ACM Research ACMR.O 超配 US$66.9 US$130.0 +94% ASMPT 0522.HK 超配 HK$154.1 HK$248.0 +61% ASE 3711.TW 超配 NT$592.0 NT$628.0 +6% :ACM Research > ASMPT > 长电科技 > ASE > 盛合晶微

:若国产AI算力需求增速放缓,可能导致封装产能过剩加剧、利用率进一步下降 :若长鑫存储HBM产能爬坡缓慢或海外HBM出口管制升级,将直接制约中国AI GPU出货量 :国产AI加速器依赖先进制程,良率瓶颈会限制有效封装需求 :若先进封装设备(如TCB、混合键合)被纳入限制清单,可能影响设备国产化进程和OSAT产能扩张 :华为通过渠梁、瑞鑫等自建先进封装能力,可能逐步减少对SJ Semi等外部供应商的依赖 :若3DIC商业化速度快于预期,可能减少2.5D封装的单位需求量 :盛合晶微当前2027年P/E约146倍,对增长前景极度乐观的预期已大部分反映,业绩不达预期可能引发估值杀跌 :中美科技博弈持续升级可能影响海外设备进口和客户结构

总体总结

主题正文

  1. 首次覆盖盛合晶微(SJ Semi)给予中性评级(目标价118.4元),认为其作为中国2.5D封装领导者的优势已被高估值充分反映,且面临竞争加剧、客户集中(华为占74%)及HBM供应等风险。
  2. 预计中国2.5D产能从2025年12万片晶圆增至2027年43.6万片,2027年行业利用率仅约63%,存在结构性过剩。
  3. 报告核心观点可概括为"看好长期AI驱动增长、警惕中期产能过剩、优选设备商与份额提升者"三条主线:
  4. :中国先进封装TAM预计2029年达到约1000亿元人民币,2025-29年CAGR约13%,其中Chiplet/2.5D细分赛道CAGR高达40%,主要由AI加速器对算力密度、内存带宽和异构集成需求驱动。
  5. :中国2.5D年产能将从2025年12万片激增至2027年43.6万片(占全球约16%),但受限于先进制程良率与HBM供应,有效需求仅约27.7万片,2027年行业利用率仅约63%,可能压制定价与利润率。
  6. 报告自下而上分析显示,中国2.5D封装年产能将从2023年的不足10万片晶圆增长至2027年43.6万片,年化增速接近40%。
  7. :长鑫存储(CXMT)2027年可生产300-400万颗HBM3E堆栈,但封装价值大部分被存储生态系统内部消化(如芯鼎天鹰等关联方),独立OSAT机会有限
  8. 国产份额提升是结构性的(mix upgrade驱动),而非价格战驱动:2025年中国区收入同比+22%(高于通富+15%、华天+18%),同时国内毛利率提升6.6个百分点至20.4%