- 三星宣布将于2028年将High-NA EUV引入DRAM量产，为行业首例；台积电计划2030年在量产中采用High-NA EUV。与此同时，ASML与台积
- 序号：143
- 星球链接：打开网页
- 附件：图片 0，音频 0，文档 0
- 音频文件：无音频
图片
无图片
正文
- 三星宣布将于2028年将High-NA EUV引入DRAM量产，为行业首例；台积电计划2030年在量产中采用High-NA EUV。与此同时，ASML与台积电联合启动6x12英寸大型光罩计划，三星也确认参与，目标2031年建立试产线、2033年具备量产能力。三大先进逻辑/晶圆厂玩家正就大型光罩转型趋于一致。High-NA采用将利好光罩相关设备，包括Lasertec的A300检测设备和IMS/JEOL的MBMW-401光罩写入设备。大型光罩采用将为更广泛的光罩设备领域带来额外利好。鉴于实施时间尚远，且设备供应商早已参与讨论，预计这些公告不会影响Lasertec本财年的订单指引。
摩根士丹利发布关于日本半导体生产设备行业的更新报告，核心观点围绕两大产业趋势展开： ：三星明确表示将于2028年将High-NA EUV引入DRAM量产，这是业界首次将该技术用于DRAM量产；台积电亦宣布计划2030年采用High-NA EUV进行量产。 ：ASML与台积电联合启动6x12英寸大型光罩计划，三星也确认加入，目标2031年建立试产线、2033年实现量产准备。原由英特尔主导的大型光罩转型如今获得三大先进逻辑/晶圆代工厂的一致支持。
High-NA EUV采纳进度 ：三星与ASML扩大合作，明确将在2028年前将High-NA EUV导入DRAM量产。这将是行业首次在DRAM量产环节使用High-NA EUV技术，意义重大。 ：台积电此前表示将在2029年的A13/A12制程暂不采用High-NA，但最新公告明确将在2030年量产中采用High-NA EUV，为行业提供了更清晰的时间节点。 大型光罩转型 ：原由英特尔主导的大型光罩转型，如今ASML、台积电、三星均已加入，形成三大主要先进逻辑/晶圆代工厂的一致共识。 ：6x12英寸大型光罩计划目标2031年建立试产线，2033年具备量产能力。 ：大型光罩的采用将要求全新的光罩制造基础设施，为整个光罩设备产业链带来增量需求。 受益设备厂商 摩根士丹利认为此次转型对光罩相关设备厂商构成利好： 设备类别受益产品厂商 光罩检测 A300（High-NA兼容） Lasertec 光罩写入 MBMW-401 IMS / JEOL 此外，大型光罩采用还将带动更广泛的光罩制造设备需求，包括新的光罩制造基础设施投资。
：摩根士丹利对日本半导体生产设备行业维持 评级。 ：High-NA EUV采纳与大型光罩转型为长期催化剂，但鉴于实施时间尚远（2028-2033年），且相关设备供应商早已与客户讨论技术路径，预计这些公告。 ：行业转型方向明确，但转化为设备订单仍需等待数年。
：High-NA EUV与大型光罩的量产时间表存在延后风险，可能影响设备厂商的收入兑现节奏。 ：High-NA EUV在DRAM量产中的良率与成本控制仍存在不确定性，三星的2028年目标存在执行风险。 ：光罩检测与写入设备市场技术门槛较高，若新进入者取得突破，可能影响现有厂商（如Lasertec、IMS/JEOL）的市场地位。 ：Lasertec等设备厂商高度依赖少数领先客户（三星、台积电、英特尔），订单波动风险较大。 ：全球半导体行业景气度波动可能影响客户资本开支节奏，间接影响设备需求。
总体总结
主题正文
- 与此同时，ASML与台积电联合启动6x12英寸大型光罩计划，三星也确认参与，目标2031年建立试产线、2033年具备量产能力。
- 鉴于实施时间尚远，且设备供应商早已参与讨论，预计这些公告不会影响Lasertec本财年的订单指引。
- ：台积电此前表示将在2029年的A13/A12制程暂不采用High-NA，但最新公告明确将在2030年量产中采用High-NA EUV，为行业提供了更清晰的时间节点。
- ：High-NA EUV采纳与大型光罩转型为长期催化剂，但鉴于实施时间尚远（2028-2033年），且相关设备供应商早已与客户讨论技术路径，预计这些公告。
- ：High-NA EUV与大型光罩的量产时间表存在延后风险，可能影响设备厂商的收入兑现节奏。
- ：High-NA EUV在DRAM量产中的良率与成本控制仍存在不确定性，三星的2028年目标存在执行风险。
- ：光罩检测与写入设备市场技术门槛较高，若新进入者取得突破，可能影响现有厂商（如Lasertec、IMS/JEOL）的市场地位。
- ：Lasertec等设备厂商高度依赖少数领先客户（三星、台积电、英特尔），订单波动风险较大。