液冷（15）：AI芯片功耗迈向两千瓦级，金刚石产业化从验证走向小批量【东北计算机】 AI芯片功耗迈向两千瓦级近端散热材料升级需求加速。 H100单芯片TDP约7
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液冷（15）：AI芯片功耗迈向两千瓦级，金刚石产业化从验证走向小批量【东北计算机】
AI芯片功耗迈向两千瓦级近端散热材料升级需求加速。 H100单芯片TDP约700W、GB300约1400W，计划于2026年推出的Vera Rubin（VR200）约2300W，VR300进一步升至3600W，高功率密度持续推高散热方案要求。室温下CVD单晶金刚石热导率可达2200W/(m·K)，是铜401W/(m·K)的5倍以上，热膨胀系数约1.1ppm/K、与硅2.6ppm/K更接近；当前金刚石热沉片、金刚石/金属复合材料两条路线商业化落地相对更快。
金刚石材料产业化由“送样验证”向“小批量供货+系统级规模应用”推进。 四方达在投资者关系活动记录中披露，公司CVD金刚石散热片热导率在2000W/(m·K)以上，已通过海外客户测试并进入小批量供货阶段，同时推进沙雅年产2.5万片CVD金刚石生产线；国机精工披露，金刚石铜复合材料热导率约800W/(m·K)，金刚石散热片和光学窗口片已有小批量订单，民用领域产品已送样。系统端，郑州国家超算互联网核心节点已规模化应用金刚石铜复合材料，公开报道显示芯片模组传热能力提升80%、性能提升10%、温度下降5℃。金刚石散热正由研发测试期逐步切换至商业化初期。
相关公司：（未覆盖不作为投资推荐） 黄河旋风（未覆盖）、国机精工、惠丰钻石（未覆盖）、四方达、沃尔德、力量钻石（未覆盖）
风险提示：金刚石散热客户验证及规模化量产不及预期；材料降本进度不及预期；下游AI算力需求不及预期；液冷及其他高导热材料技术路线竞争加剧。
总体总结
主题正文
- 液冷（15）：AI芯片功耗迈向两千瓦级，金刚石产业化从验证走向小批量【东北计算机】
- H100单芯片TDP约700W、GB300约1400W，计划于2026年推出的Vera Rubin（VR200）约2300W，VR300进一步升至3600W，高功率密度持续推高散热方案要求。
- 室温下CVD单晶金刚石热导率可达2200W/(m·K)，是铜401W/(m·K)的5倍以上，热膨胀系数约1.1ppm/K、与硅2.6ppm/K更接近；
- 四方达在投资者关系活动记录中披露，公司CVD金刚石散热片热导率在2000W/(m·K)以上，已通过海外客户测试并进入小批量供货阶段，同时推进沙雅年产2.5万片CVD金刚石生产线；
- 国机精工披露，金刚石铜复合材料热导率约800W/(m·K)，金刚石散热片和光学窗口片已有小批量订单，民用领域产品已送样。
- 系统端，郑州国家超算互联网核心节点已规模化应用金刚石铜复合材料，公开报道显示芯片模组传热能力提升80%、性能提升10%、温度下降5℃。
- 相关公司：（未覆盖不作为投资推荐）
- 风险提示：金刚石散热客户验证及规模化量产不及预期；